第三代寬禁帶半導體SiC MOSFET 越來越廣泛的運用于工業領域，相比于普通的 Si 半導體功率器件，其具有耐高溫，耐高壓，低損耗和高開關頻率的優勢，未來SiC MOSFET 在市場上的商業價值也逐步提升。SiC MOSFET 芯片尺寸不大，通流能力有限，在工業應用中，往往需要多個分立模塊進行并聯以滿足大電流的工作要求，為此對SiC的并聯驅動設計至關重要。
2FHC06M33XX是基于Firstack智能芯片技術自主研發的高性能、雙通道SiC/IGBT柵極驅動核，支持最高3300V的SiC模塊。整體架構由一塊絕緣主控板和多組模塊適配板單元組成，絕緣主控板和模塊適配板之間通過一組線纜連接，可靈活匹配1~4個SiC/IGBT模塊，適用 Infineon XHPTM 2，Mitsubishi LV100，Hitachi Linpak等封裝多并聯，主要應用于軌交，光伏，風電，工業驅動等領域。
產品型號
2FHC06M33B1
2FHC06M33B2
2FHC06M33C1
2FHC06M33C2
產品特點
飛仕得科技第二代智能數字驅動方案
雙通道門極驅動
靈活可拓展，最高支持4并聯
短路保護（軟關斷）
不同模塊適配板之間的門極抖動小于5ns
隔離負溫度系數（NTC）采樣功能
米勒鉗位
智能故障管理
產品優勢
靈活可拓展，安裝便捷，最高支持4并聯
極低的并聯門極抖動，出色的均流效果
信號雙向傳輸，PWM信號傳輸和故障反饋共享同一路脈沖變壓器
高效有力的并聯短路保護功能
高精度的數字隔離溫度采樣
并聯門極驅動器獨立，提高環流抑制效果
應用領域
光伏
風電
工業驅動
軌道交通
系統框圖
2FHC06M33XX采用直接并聯的架構，每個SiC擁有獨立的模塊適配板并集成了米勒鉗位功能，不同的SiC門極回路間耦合度低，使得SiC的開關行為很獨立，對模塊的一致性以及直流母排雜散電感對稱性要求降低。所有的模塊適配板由一塊絕緣主控板統一控制，保證不同驅動之間電源和信號的一致性，門極抖動在5ns以內，具有出色的動態均流效果，提供了高度的可配置性和系統可擴展性，顯著提升電力電子裝置的功率密度
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