第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC MOSFET 越來(lái)越廣泛的運(yùn)用于工業(yè)領(lǐng)域，相比于普通的 Si 半導(dǎo)體功率器件，其具有耐高溫，耐高壓，低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率的優(yōu)勢(shì)，未來(lái)SiC MOSFET 在市場(chǎng)上的商業(yè)價(jià)值也逐步提升。SiC MOSFET 芯片尺寸不大，通流能力有限，在工業(yè)應(yīng)用中，往往需要多個(gè)分立模塊進(jìn)行并聯(lián)以滿足大電流的工作要求，為此對(duì)SiC的并聯(lián)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)至關(guān)重要。
2FHC06M33XX是基于Firstack智能芯片技術(shù)自主研發(fā)的高性能、雙通道SiC/IGBT柵極驅(qū)動(dòng)核，支持最高3300V的SiC模塊。整體架構(gòu)由一塊絕緣主控板和多組模塊適配板單元組成，絕緣主控板和模塊適配板之間通過(guò)一組線纜連接，可靈活匹配1~4個(gè)SiC/IGBT模塊，適用 Infineon XHPTM 2，Mitsubishi LV100，Hitachi Linpak等封裝多并聯(lián)，主要應(yīng)用于軌交，光伏，風(fēng)電，工業(yè)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
產(chǎn)品型號(hào)
2FHC06M33B1
2FHC06M33B2
2FHC06M33C1
2FHC06M33C2
產(chǎn)品特點(diǎn)
飛仕得科技第二代智能數(shù)字驅(qū)動(dòng)方案
雙通道門(mén)極驅(qū)動(dòng)
靈活可拓展，最高支持4并聯(lián)
短路保護(hù)（軟關(guān)斷）
不同模塊適配板之間的門(mén)極抖動(dòng)小于5ns
隔離負(fù)溫度系數(shù)（NTC）采樣功能
米勒鉗位
智能故障管理
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
靈活可拓展，安裝便捷，最高支持4并聯(lián)
極低的并聯(lián)門(mén)極抖動(dòng)，出色的均流效果
信號(hào)雙向傳輸，PWM信號(hào)傳輸和故障反饋共享同一路脈沖變壓器
高效有力的并聯(lián)短路保護(hù)功能
高精度的數(shù)字隔離溫度采樣
并聯(lián)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器獨(dú)立，提高環(huán)流抑制效果
應(yīng)用領(lǐng)域
光伏
風(fēng)電
工業(yè)驅(qū)動(dòng)
軌道交通
系統(tǒng)框圖
2FHC06M33XX采用直接并聯(lián)的架構(gòu)，每個(gè)SiC擁有獨(dú)立的模塊適配板并集成了米勒鉗位功能，不同的SiC門(mén)極回路間耦合度低，使得SiC的開(kāi)關(guān)行為很獨(dú)立，對(duì)模塊的一致性以及直流母排雜散電感對(duì)稱性要求降低。所有的模塊適配板由一塊絕緣主控板統(tǒng)一控制，保證不同驅(qū)動(dòng)之間電源和信號(hào)的一致性，門(mén)極抖動(dòng)在5ns以內(nèi)，具有出色的動(dòng)態(tài)均流效果，提供了高度的可配置性和系統(tǒng)可擴(kuò)展性，顯著提升電力電子裝置的功率密度
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