如圖1和圖2所示，三安1200V G2采用MPS（MPS: Merged PIN-Schottky, PIN: Positive-Intrinsic-Negative）結(jié)構(gòu)，器件具備優(yōu)秀的抗浪涌電流能力，而G5在G2原有的MPS結(jié)構(gòu)上優(yōu)化了PIN占比，進(jìn)一步提高器件的抗浪涌能力。此外，三安1200V G5采用了三安的減薄晶圓平臺(tái)，將晶圓厚度縮減了1/2以上，有效改善器件的VF和Rth(j-c)。 

圖1. MPS結(jié)構(gòu)SiC SBD的薄晶圓示意圖（左）與I-V關(guān)系曲線（右）

圖2. 1200V 20A SiC SBD器件的VF（左）和Rth(j-c)（右）對(duì)比 

非重復(fù)正向電流IFSM是衡量器件抗浪涌沖擊能力的一個(gè)重要指標(biāo)，高IFSM的器件能夠承受更高的電流脈沖尖峰，防止器件失效。圖3以1200V 20A SiC SBD器件為例，三安G5優(yōu)化了器件的抗浪涌能力，IFSM值比G2高約14%，甚至比競(jìng)品高58%以上。這表明了G5能夠承受更高的浪涌電流沖擊，在存在高浪涌電流的系統(tǒng)中能夠更好地滿足設(shè)計(jì)人員的需求。 

圖3. 1200V 20A SiC SBD器件的IFSM對(duì)比

圖4. Buck變換器測(cè)試電路

三安G5不僅在抗浪涌能力有很大的提升，對(duì)于器件的損耗和散熱也有所改善，圖4為三安1200V SiC SBD在Buck變換器上的對(duì)比測(cè)試，其結(jié)果如圖5所示。G5優(yōu)化了二極管的VF和Rth(j-c)，不僅降低了器件的導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)能效，而且有效改善了器件的散熱能力，提高器件穩(wěn)定性并能夠支持更高的功率場(chǎng)景，還可以簡(jiǎn)化散熱設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)更加緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

圖5. 1200V SiC SBD G5對(duì)比G2的效率（左）與溫升（右）變化

三安1200V G5在G2的優(yōu)秀性能基礎(chǔ)上進(jìn)行了一系列優(yōu)化，在提高抗浪涌電流能力的同時(shí)，能夠進(jìn)一步優(yōu)化器件損耗和散熱能力，實(shí)現(xiàn)更加高效、緊湊和具備超高抗浪涌沖擊能力的設(shè)計(jì)。三安半導(dǎo)體在SiC功率器件的技術(shù)革新上深耕研發(fā)，不斷迭代優(yōu)化器件性能，致力于提供能夠滿足客戶需求的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

三安第5代1200V SiC SBD產(chǎn)品系列