全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應(yīng)用的600 V CoolMOS™ S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS™ S7T）取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。

CoolMOS™ S7TA 600V QDPAK BSC

與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣，車規(guī)級 CoolMOS™ S7TA 尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應(yīng)用。它具有出色的RDS(on) 和傳感精度，這對于依賴高效功率管理解決方案的各種汽車電子設(shè)備至關(guān)重要。超級結(jié)MOSFET與嵌入式溫度傳感器集成在同一封裝中，提高了固態(tài)繼電器的性能，即便在非常嚴(yán)峻的過載條件下也能可靠運行，這對于可靠性要求極高的汽車應(yīng)用來說是必要的。

與獨立的板載傳感器相比，S7TA的嵌入式傳感器精度提高了 40%，響應(yīng)時間加快了4倍。這些溫度監(jiān)測方面的進(jìn)步實現(xiàn)了對多設(shè)備系統(tǒng)內(nèi)部的單獨監(jiān)測，從而提高了可靠性并且防止可能導(dǎo)致系統(tǒng)故障的散熱問題，對汽車應(yīng)用而言非常重要。

CoolMOS™ S7TA 600V QDPAK TSC

CoolMOS™ S7TA 功率晶體管的優(yōu)化利用不僅確保了出色的性能，還實現(xiàn)了對輸出級的精準(zhǔn)控制。這種精準(zhǔn)度是降低功耗和能源成本的關(guān)鍵，也是汽車應(yīng)用中亟需解決的問題，因為效率直接轉(zhuǎn)化為汽車的續(xù)航里程和運行經(jīng)濟(jì)性。與傳統(tǒng)的機(jī)電式繼電器相比，CoolMOS™ S7TA的總功耗實現(xiàn)了大幅降低。

CoolMOS™ S7TA還依靠較高的過流閾值提高了SSR的可靠性，降低了發(fā)生故障的可能性。這一穩(wěn)健的開關(guān)解決方案為提高車內(nèi)運行安全奠定了基礎(chǔ)，并且具有更高穩(wěn)健性的MOSFET延長了汽車?yán)^電器的生命周期，從而降低維護(hù)和更換成本。

對于現(xiàn)代汽車安全性和功能性至關(guān)重要的潛在應(yīng)用，600 V CoolMOS™ S7TA提供了優(yōu)化的解決方案，例如斷路器（包括高壓電池隔離開關(guān)、直流（DC）和交流（AC）低頻開關(guān)）以及高壓電子保險絲（HV eFuses）等關(guān)鍵元件。

英飛凌還推出了EVAL_eFuse_PoC_400V_S7概念驗證板，展示了汽車電子保險絲的穩(wěn)健性和多功能性，以及保護(hù)汽車電氣系統(tǒng)的可靠方法，具有可互換的功率級，能夠適應(yīng)不同電壓等級和冷卻方式的各種工作條件。

供貨情況

車規(guī)級和工業(yè)級 600 V CoolMOS™ S7T均已上市，采用 QDPAK TSC 和 BSC 封裝，RDS(on) 范圍為17至40 mΩ。10 mΩ 型號將于2024年下半年加入該產(chǎn)品系列。了解更多信息，點擊訪問S7TA和S7T

新型OptiMOS™ 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V 產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS™ 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩托車，以及商用車和農(nóng)用車（CAV）等其他交通應(yīng)用。

OptiMOS™ 7單SSO8

作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌致力于塑造未來汽車功率 MOSFET 的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，包括功率效率、創(chuàng)新和堅固的高質(zhì)量功率封裝。我們?yōu)榭蛻籼峁┒鄻踊�產(chǎn)品組合，以滿足他們的各種需求，并推動現(xiàn)代汽車應(yīng)用的發(fā)展。

Axel Hahn

英飛凌高級副總裁兼汽車低壓MOSFET總經(jīng)理

新型OptiMOS™ 7技術(shù)結(jié)合了300毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新封裝技術(shù)，在各種可用電壓等級中具有顯著的性能優(yōu)勢，因此適用于各種堅固耐用的汽車級功率器件封裝，包括單SSO8（5x6）、雙SSO8（5x6）、mTOLG（8x8）和sTOLL（7x8）等。該系列以更低的導(dǎo)通電阻（例如單SSO8（5x6）80V封裝的最大導(dǎo)通電阻為1.3 mΩ）和更小的外形尺寸提供更高的功率密度和能效。該系列器件還能降低開關(guān)損耗，提高安全工作區(qū)（SOA）的穩(wěn)健性，并且具有高雪崩電流耐受能力，可幫助未來的汽車應(yīng)用實現(xiàn)高效率的系統(tǒng)設(shè)計。