該項目總投資120億元，建設一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，建成后將形成年產(chǎn)72萬片8英寸碳化硅功率器件芯片的生產(chǎn)能力。

該項目分兩期建設，其中，一期項目總投資70億元，新增8英寸SiC芯片3.5萬片/月的生產(chǎn)能力，二期投資規(guī)模約50億元，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。

據(jù)“今日海滄”介紹，該項目一期預計2025年三季度末初步通線，2025年四季度試生產(chǎn)，達產(chǎn)后年產(chǎn)42萬片

據(jù)悉，項目建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，較好滿足國內(nèi)新能源汽車所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、儲能、充電樁等功率逆變產(chǎn)品提供高性能的碳化硅芯片。

當前，盡管市場上的SiC尺寸仍以6英寸為主，但國內(nèi)廠商都在積極布局8英寸。無獨有偶，國內(nèi)另一個8英寸碳化硅項目也于近日迎來新的進展，即中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投產(chǎn)。

2023年，南砂晶圓在山東濟南成立山東中晶芯源半導體科技有限公司（簡稱“中晶芯源”），建設8英寸碳化硅北方基地。根據(jù)規(guī)劃，該項目總投資額15億元，將建設一個8英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)基地，預計2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。

今年3月，南砂晶圓總經(jīng)理王垚浩表示，該公司正在積極擴產(chǎn)濟南廠區(qū)，計劃將中晶芯源項目打造成為全國最大的8英寸SiC襯底生產(chǎn)基地，計劃于2025年實現(xiàn)滿產(chǎn)達產(chǎn)。

除上述兩家廠商外，國內(nèi)不少企業(yè)都在加速布局8英寸碳化硅賽道，如三安光電、天科合達、天岳先進、芯聯(lián)集成、青禾晶元、合盛硅業(yè)、乾晶半導體、同光股份、科友半導體等。

其中，青禾晶元于今年4月宣布，成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。同時，芯聯(lián)集成的8英寸SiC工程批已順利下線、科友半導體也正在與俄羅斯N公司開展“8英寸SiC完美籽晶”項目合作。