日本旭化成在功率半導體等用的氮化鋁基板方面，成功將可使用面積擴大至以往量產產品的4.5倍。采用直徑4英吋(約100毫米)的基板，可使用面積從原來的80%擴大至99%。邁向實用化的評估成為可能，今后將開始向半導體廠商供應樣品，力爭到2027年作為基板實現實用化。
面向新一代功率半導體的碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的研發取得進展，但在化合物半導體中，氮化鋁耐高電壓的指標最高，因此電力損耗最小。實用化需要實現大口徑化，2023年在全球首次成功實現4英吋化。此次將可使用面積從原來的80%增至99%，達到了可面向實用化進行評估和驗證的尺寸。
可使用面積與傳統量產產品的2英吋相比增至4.5倍，有助于削減成本。此前，基板的邊緣存在無法使用的部分，但在制造工序的溫度變化等方面下功夫，使之可使用99%。為了今后實現實用化，向數家半導體廠商提供了樣品。作為基板，力爭2027年前實現可用，2029年前后在使用氮化鋁基板的功率半導體的設備上搭載。
利用可應對高頻率的特點等，預計首先將用于衛星通信和5G基地臺。今后計劃將口徑進一步擴大至6英吋。高級研究員久世直洋表示「將來還計劃應用于充電器等汽車用途」。
此前，旭化成一直在用于殺菌的深紫外線LED上使用氮化鋁基板。此次將向設備制造企業提供由美國子公司Crystal IS (紐約州)制造的基板，預計將用于新一代功率半導體和高頻設備等。制造的費用不會因基板的尺寸而有太大變化，基板的大型化對旭化成來說也有助于提高利潤。
在新一代功率半導體用基板方面，各化工企業正在推進開發和生產增強。在GaN基板方面，日本住友化學已形成4英吋的量產體制，力爭在年內實現6英吋的客戶評估，三菱化學集團已開始4英吋的樣品供貨。Resonac控股計劃在2027年4月以后，增強SiC基板的日本國內產能。
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