許多原定于 2024 年開始運營的晶圓廠于 2022 年開始建設，但由于當年開始的市場低迷，一些晶圓廠的開工日期被推遲到 2025 年，與許多其他原定于當年投產的晶圓廠一樣。

預計 2025 年上線的發電容量將達到創紀錄的水平。
 

報告顯示，預計2025年將有2310萬片200毫米當量晶圓/年的產能投入生產，超過2021年的1850萬片晶圓的先前最高水平。

以300毫米晶圓當量表示，2025年每年將有1030萬片晶圓的產能上線。從增長率來看，與2024年的產能水平相比，這一數字增長了8%。

預計 2025 年將有 17 條新的 IC 生產生產線投入運營。其中包括：
 

HH Grace – 中國無錫 – 300 毫米晶圓代工服務

英特爾 – 美國俄亥俄州新奧爾巴尼 – 用于高級邏輯和代工的 300 毫米晶圓

JS Foundry – 日本新潟縣小千谷市 – 200 毫米 IC（和分立器件）晶圓

Kioxia – 日本巖手縣北上市 – 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓

Micron – 美國愛達荷州博伊西 – DRAM 300 毫米晶圓

PXW電子 – 中國深圳 – 300mm 晶圓代工

三星 – 韓國平澤（P4 晶圓廠）– 用于 3D NAND 和 DRAM 的 300 毫米晶圓
 

SK Hynix – 中國大連（Fab 68 擴建）– 用于 3D NAND 的 300 毫米晶圓
 

中芯國際 – 中國上海 (SN2 晶圓廠) – 300 毫米晶圓代工
 

TI – 美國德克薩斯州謝爾曼 – 用于模擬和混合信號的 300 毫米晶圓
 

臺積電 – 中國臺灣臺南（Fab 18，第 8 階段） – 300 毫米晶圓代工
 

UMC – 新加坡 (Fab 12i，第 3 階段) – 300 毫米晶圓代工

集邦：美國晶圓廠將崛起

TrendForce最新研究顯示，截至2024年，中國臺灣預計將以66%的市場份額領先全球先進制程（包括16/14nm及更先進技術）的半導體代工產能，其次是韓國（11%）、美國（10%）和中國（9%）。不過，到2027年，中國臺灣和韓國先進節點的半導體產能預計將分別下降到55%和8%。

值得注意的是，雖然臺積電、SK海力士、三星等半導體巨頭不斷加大投資額度，但作為先進制程市場份額最高的兩個地區，中國臺灣與韓國的市場份額預計將出現下滑。

另一方面，在政府大力推行激勵和補貼政策的美國，其先進制造工藝的全球產能份額預計將從 2024 年的 10% 躍升至 2027 年的 22%。
 

從整體晶圓代工產能來看，預計到 2024 年，中國臺灣將占據全球約 44% 的市場份額，其次是中國大陸 (28%)、韓國 (12%)、美國 (6%) 和日本 (2%)。預計總體趨勢將與先進節點保持一致。相比之下，預計到 2027 年，中國臺灣和韓國的整體半導體產能將分別下降至 40% 和 10%。

中國大陸的晶圓代工廠更注重擴大成熟工藝產能，并有政府補貼的支持，預計在全球整體市場份額中表現相對強勁，從 2024 年的 28% 增長到 2027 年的 31%。其成熟工藝（包括≥28nm 節點）產能的市場份額預計將從 2024 年的 33% 上升到 2027 年的 45%。

據朝鮮日報5月10日報道，根據美國半導體行業協會（SIA）和波士頓咨詢集團（BCG）的預測，2022年臺灣和韓國在10納米以下最先進半導體生產中的份額分別為69％和31％，而到2032年，兩國在先進節點上的市場份額可能分別下降到47％和9％。

報道稱，韓國半導體生產份額大幅下降主要歸因于三星電子和SK海力士等主要廠商，它們目前與臺積電一起主導著全球先進半導體市場。然而，它們沒有在韓國投資，而是選擇在美國建立最新的工廠。

美國政府4月早些時候宣布，將向三星提供高達64億美元的補貼，用于擴大其德州工廠的先進芯片產能。此外，SK海力士計劃斥資38.7億美元在印第安納州建設先進封裝廠和人工智能產品研究中心。