用于5G massive MIMO基站的16W GaN PAM（MGFS52G38MB）

三菱電機集團近日（2024年6月4日）宣布，將于6月11日開始為5G massive MIMO*1（mMIMO）基站提供新型16W平均功率氮化鎵（GaN）功率放大器模塊（PAM）的樣品。PAM可用于32T32R mMIMO天線*2，以降低5G mMIMO基站的生產成本和功耗，隨著5G網絡從城市中心向偏遠地區的擴展，預計PAM將得到越來越多地部署。三菱電機將于6月18日至20日在美國華盛頓特區舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會（IMS）2024上展出其新型16W GaN PAM。

使用mMIMO基站實現高速、大容量通信的工作主要在城市取得進展。為了進一步降低功耗和制造成本，對具有更高效率和模塊化的功率放大器的需求不斷增長。PAM在寬頻率范圍內實現符合3GPP標準的低失真特性*3，從而與不同國家/地區的移動網絡廣泛兼容。隨著未來5G網絡從城市中心擴展到偏遠地區，要求mMIMO基站提供更廣泛的通信范圍和更低的成本，使用具備超高性能的功率放大器將幫助實現這種可能。

2023年9月，三菱電機開始提供GaN PAM的樣品，該樣品在3.4至3.8GHz的寬頻率范圍內實現8W（39dBm）的平均輸出功率，適用于5G基站的64T64R mMIMO天線*4。此次發布的16W（42dBm） GaN PAM在3.3至3.8GHz的寬頻率范圍內實現了更高的平均輸出功率，適用于32T32R mMIMO天線，擴展了5G mMIMO基站的通信范圍，并通過減少所需的PAM數量降低了其制造成本。

產 品 特 點

減少功率放大器模塊數量，擴展5G mMIMO基站通信范圍

與現有的8W GaN PAM相比，新型16W GaN PAM使32T32R mMIMO天線使用的功率放大器數量減少了一半，同時達到了64T64R mMIMO天線的通信范圍，從而降低了5G mMIMO基站的制造成本。

與現有的8W產品相比，16W的GaN PAM將64T64R mMIMO天線的功率提高了一倍，擴展了5G mMIMO基站的通信范圍。

500MHz頻段40%的高效率，降低了5G mMIMO基站的功耗

具有外延生長層結構的氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）*5，使其在5G環境中實現高效率和低失真特性。

三菱電機獨特的寬帶Doherty電路*6緩解了GaN HEMT輸出寄生電容造成的帶寬限制，在500MHz頻段實現了40%的功率附加效率，從而降低5G mMIMO基站的功耗。

功率放大器的模塊化，降低了5G mMIMO基站的電路設計負擔和制造成本

三菱電機獨特的高密度封裝技術實現了5G基站功率放大器不可或缺的Doherty電路PAM。

新PAM的部署將減少5G mMIMO基站所需的組件數量，從而簡化電路設計并降低制造成本。

主要規格

環保意識

本產品符合RoHS*7指令2011/65/EU和（EU）2015/863。