集成SiC MOSFET，支持1700V耐壓

無論是在工業還是汽車領域，高壓系統正在變得越來越普遍，為了適配工業和汽車平臺高壓化的趨勢，NSI7258以背靠背的形式集成了2顆納芯微參與研發的SiC MOSFET，每顆支持高達1700V的耐壓；在1分鐘的標準雪崩測試中，NSI7258可耐受2100V的雪崩電壓和1mA的雪崩電流，實現業內領先的耐壓和抗雪崩能力。于此同時，在1000V高壓，125℃高溫的測試條件下，NSI7258的漏電流可以控制在1μA以內，極大提高了BMS系統中電池包的絕緣阻抗和檢測精度，有助于實現更安全的人機交互。

滿足各類安規要求，降低系統驗證時間

高壓化應用的普及需滿足各類嚴苛的安規要求。通過納芯微自有的專利技術，NSI7258可在SOW12封裝下實現業內領先的5.91mm副邊爬電距離，同時原邊副邊爬電距離也達到8mm，滿足國際電工委員會制定的IEC60649要求。此外，憑借納芯微卓越的電容隔離技術，NSI7258的隔離耐壓能力高達5kVrms，全面滿足UL、CQC和VDE相關認證，可降低客戶系統驗證時間，加速產品上市。

EMI顯著優化，加速光耦繼電器替換

傳統的光耦繼電器方案存在光衰問題，其性能會隨著時間的推移而退化，但光耦繼電器的優勢是無電磁干擾問題，這也是限制高壓系統中光耦替代的重要因素之一。納芯微NSI7258通過巧妙的設計，實現了業內卓越的EMI表現，在單板無磁珠的條件下即可輕松通過CISPR25 Class 5測試，并且在全頻段測試中均留有充足裕量。NSI7258基于全半導體工藝進行生產，在長期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表現和更高的可靠性支持客戶在系統中同時采用多顆器件而不受影響，顯著降低了設計難度，助力客戶在系統設計中加速光耦替換。

封裝和選型

NSI7258提供SOW12封裝，兼容市場主流的光耦繼電器。工規版本的NSI7258將于近期量產，車規版本的NSI7258-Q1滿足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的寬工作溫度范圍，將于2024年7月量產。