資料顯示，斯達半導主營業務是以IGBT和SiC為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發、生產及銷售。公司總部位于浙江嘉興，在上海、重慶、歐洲設有子公司，并在國內和歐洲均設有研發中心。該公司長期致力于IGBT、快恢復二極管、MOSFET等功率芯片的設計和工藝及IGBT、SiC MOSFET等功率模塊的設計、制造和測試，公司的產品廣泛應用于工業控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領域。

2023年營收同比增長35.39% 車規級IGBT模塊持續放量

張哲在會議上介紹：“公司2023年實現營業收入36.629億元，較2022年同期增長35.39%，實現歸屬于上市公司股東的凈利潤9.11億元，較2022年同期增長11.36%，實現歸屬于上市公司股東扣除非經常性損益的凈利潤8.86億元，較去年同期增長16.25%。”

此外，公司經營活動的現金流是3.82億元，同比呈下降趨勢，基本每股收益是5.33元，同比增長11.24%。

從斯達半導各大業務營收分析來看，該公司主營業務收入在各細分行業均實現穩步增長：其中工業控制和電源行業的營業收入為12.8億元，較去年同期增長15.64%；新能源行業營業收入為21.56億元，較去年同期增長48.09%；變頻白色家電及其他行業的營業收入為2.03億元，較去年同期增長69.48%。

張哲表示，2023年，公司生產的應用于主電機控制器的車規級IGBT模塊持續放量，合計配套超過200萬套新能源汽車主電機控制器。公司在車用空調、充電樁、電子助力轉向等新能源汽車半導體器件份額進一步提高。

據了解，2023年，斯達半導基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的750V車規級IGBT模塊大批量裝車，該公司基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的1200V車規級IGBT模塊新增多個800V系統車型的主電機控制器項目定點，將對2024年-2030年斯達半導新能源汽車IGBT模塊銷售增長提供持續推動力。

另外，張哲指出，2023年，公司海外新能源汽車市場取得重要進展，公司車規級IGBT模塊在歐洲一線品牌Tier1開始大批量交付，同時報告期內公司新增多個IGBT/SiC MOSFET主電機控制器項目定點，海外新能源汽車市場呈現快速增長趨勢。

除了IGBT外，斯達半導的SiC MOSFET產品也在2023年取得了新進展，據張哲介紹，該公司應用于新能源汽車主控制器的車規級SiC MOSFET模塊大批量裝車應用，同時新增多個使用車規級SiC MOSFET模塊的800V系統主電機控制器項目定點，將對公司2024年-2030年主控制器用車規級SiC MOSFET模塊銷售增長提供持續推動力。2023年，公司自主的車規級SiC MOSFET芯片在公司多個車用功率模塊封裝平臺通過多家客戶整車驗證并開始批量出貨。

完善功率半導體產業布局 不斷豐富自身產品種類

談及公司2024年的發展規劃，張哲表示，公司將完善功率半導體產業布局，在大力推廣IGBT模塊的同時，依靠自身的專業技術，研發其他前沿功率半導體器件，不斷豐富自身產品種類。

具體來看，將從以下七大方面積極推動公司穩定發展：

1.持續發力新能源汽車及燃油汽車半導體器件市場

持續發力新能源汽車及燃油汽車半導體器件市場，在新能源汽車用驅動控制器領域為純電動汽車、混動汽車、增程式汽車、燃料電池汽車等客戶提供全功率段的車規級IGBT模塊、車規級SiC MOSFET模塊，完善輔助驅動和車用電源市場的產品布局，為客戶提供完善的輔助驅動和車用電源市場的產品；在燃油車用汽車電子市場，開發更多的燃油車用車規級功率器件。

2.繼續深耕工業控制及電源行業

充分利用公司650V/750V、1200V、1700V自主芯片產品的性能優勢、成本優勢、交付優勢，在變頻器、電焊機、電梯控制器、伺服器、電源等領域持續發力，提高現有客戶的采購份額，加大海外市場的開拓力度，突破海外頭部客戶，提高市場占有率。同時，繼續堅持以技術為核心，加強和客戶技術合作，不斷研發出具有市場競爭力的產品。

3.加速開拓新能源市場

在“碳中和”目標和清潔能源轉型的雙重背景下，公司將抓住光伏發電、風力發電以及儲能市場快速發展的歷史機遇，把握核心半導體器件國產化加速的市場機會，不斷提高市場份額。

4.持續推進變頻白色家電市場

不斷加強和主流家電廠商的合作，在商用空調和家用空調市場同時推進，根據市場需求推出更多具有競爭力的產品系列。

5.加速公司下一代IGBT芯片的研發和產業化

持續加大芯片研發力度，結合市場需求，進一步豐富基于第七代微溝槽Trench FieldStop技術的IGBT芯片以及和市場需求相匹配的快恢復二極管芯片的產品系列。

6.持續加大寬禁帶功率半導體器件的研發力度

持續加大研發投入，開發出更多符合市場需求的車規級SiC功率模塊。同時，公司加大SiC功率芯片的研發力度，繼續推出符合市場需求的自主的車規級SiC芯片。

7.開展3300V-6500V高壓IGBT的研發

利用公司第六代Fieldstop Trench芯片平臺及大功率模塊生產平臺，推出應用于軌道交通和輸變電等行業的3300V-6500V高壓IGBT產品。