英飛凌科技為快速成長的綠色能源行業領導者、逆變器及儲能系統制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiC™ MOSFET 1200 V功率半導體器件， 配合EiceDRIVER™柵極驅動用于工業儲能應用。同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的 IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。
全球光儲系統（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關鍵；儲能應用如何提升效率，提高功率密度備受關注。英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V以及IGBT7 H7 1200 V系列功率半導體器件采用了最新的半導體技術以及貼合行業應用的設計理念。
英飛凌科技高級副總裁，工業與基礎設施業務大中華區負責人于代輝先生表示：“作為功率半導體領域的行業領導者，我們很榮幸能與麥田能源緊密合作。英飛凌將繼續助力光儲應用實現更高的功率密度以及更可靠的系統，從而推動低碳化進程。”
麥田能源董事長朱京成表示：“得益于英飛凌先進器件的支持，麥田能源的產品在可靠性與效率等方面獲得了顯著提升，這一直是麥田能源成長的重要推動力。英飛凌的技術支持和產品質量不僅增強了我們的競爭力，還拓展了我們在市場上的影響力。我們對未來充滿信心，期待進一步加強與英飛凌的合作，共同推動行業發展，為客戶創造更大的價值。”
英飛凌CoolSiC MOSFET 1200 V憑借其高功率密度的優越性能，可將損耗降低50%, 在不增加電池尺寸的情況下，額外提供約 2% 的能量，這對高性能、輕量且緊湊的儲能方案尤為有益。麥田能源的H3PRO 15kW~30kW儲能機型全系列使用了英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200 V。得益于英飛凌產品優異的性能，H3PRO機型能取得最高98.1%的效率及優異的電磁兼容性能；麥田能源H3PRO機型也憑借著其優異的性能和可靠性，在全球市場的銷量快速上升。
英飛凌的TRENCHSTOP IGBT7 H7 650V/1200V產品系列，具有更低損耗，幫助提高逆變器整體效率和功率密度的優勢，尤其在大功率變流器項目上，電流處理能力在100A以上的大電流封裝分立器件可以降低IGBT并聯數量，替代IGBT模塊方案，進一步提高系統可靠性并降低成本；另外，H7系列產品的高品質性能，以及更強的抗宇宙射線能力等特性已經成為行業標桿。目前，麥田能源在工業和商用領域的主力機型R Series 75~110kW，正是使用 IGBT7 H7系列分立器件，重新定義了100kW機型的整體設計方案，整機最高效率98.6%；得益于分立封裝IGBT7 H7系列的高品質性能，避免了并管過程中均流等技術問題，從而大大提高了運行可靠性。
每個功率器件都需要一個驅動——合適的驅動讓設計事半功倍。英飛凌的產品可提供500多種 EiceDRIVER 柵極驅動，典型輸出電流從0.1 A到18 A。并具有全面的保護功能，包括快速短路保護（DESAT），有源米勒鉗位，直通短路保護，故障報告，關斷，過流保護, 適用于包括CoolSiC和IGBT在內的所有功率器件。
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