AONZ66412 XSPairFET™ 占地面積緊湊，可簡(jiǎn)化 PCB板內(nèi)設(shè)計(jì)，有助于提高功率密度，同時(shí)滿足高效Type C應(yīng)用性能需求。

日前，集設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷(xiāo)售一體的著名功率半導(dǎo)體、芯片及數(shù)字電源產(chǎn)品供應(yīng)商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達(dá)克代碼：AOSL）推出了新型XSPairFET™ MOSFET，AONZ66412，專(zhuān)為 USB PD 3.1 擴(kuò)展功率范圍 (EPR) 應(yīng)用中的升降壓轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì)。USB PD 3.1 EPR 將 USB-C 端口的功率傳輸能力提高至240W。而AONZ66412是一款40V對(duì)稱雙通道N 溝道 MOSFET半橋功率模塊，集成于5mmx6mm XSPairFET™ 單體封裝中，支持最常見(jiàn)的功率范圍，在28V工作電壓時(shí)傳輸能力高達(dá) 140W。

AONZ66412可以取代兩個(gè)DFN5x6封裝MOSFET，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化4顆開(kāi)關(guān)升降壓架構(gòu)的設(shè)計(jì)布局，是Type-C USB 3.1 EPR 應(yīng)用中（包括筆記本電腦、USB 集線器和移動(dòng)電源設(shè)備）升降壓轉(zhuǎn)換器的理想選擇。

AONZ66412 采用最新的倒裝（bottom source）封裝技術(shù)，是AOS XSPairFET™系列的擴(kuò)展。由于降低驅(qū)動(dòng)及功率回路的寄生電感，AONZ66412具有較低的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴。采用DFN5x6 XSPairFET™ 封裝，AONZ66412集成了高側(cè)和低側(cè)功率 MOSFET（最大導(dǎo)通電阻為 3.8mOhms），低側(cè)MOSFET源極直接連接到PCB上的裸露焊盤(pán)，以增強(qiáng)其散熱性能。改進(jìn)的封裝寄生參數(shù)，使1MHz開(kāi)關(guān)頻率運(yùn)行成為可能，進(jìn)而有利于減小電感器的尺寸。經(jīng)過(guò)測(cè)試，在28V輸入電壓、17.6V 輸出和典型 USB PD 3.1 EPR 1MHz開(kāi)關(guān)頻率，8A 負(fù)載條件下，AONZ66412可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 97%的效率。
 

“AOS 專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)了 AONZ66412 來(lái)滿足Type C PD 擴(kuò)展功率范圍應(yīng)用需求，減少電路板占位空間并提高功率密度，幫助設(shè)計(jì)人員為廣泛采用USB-PD Type C 應(yīng)用實(shí)現(xiàn)設(shè)定的高效性能目標(biāo)。AOS依然是升降壓架構(gòu)解決方案的領(lǐng)先創(chuàng)新者”。

—— Rack Tsai

AOS MOSFET產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān)

技術(shù)亮點(diǎn)