AONZ66412 XSPairFET™ 占地面積緊湊，可簡化 PCB板內設計，有助于提高功率密度，同時滿足高效Type C應用性能需求。

日前，集設計、研發、生產和全球銷售一體的著名功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，納斯達克代碼：AOSL）推出了新型XSPairFET™ MOSFET，AONZ66412，專為 USB PD 3.1 擴展功率范圍 (EPR) 應用中的升降壓轉換器而設計。USB PD 3.1 EPR 將 USB-C 端口的功率傳輸能力提高至240W。而AONZ66412是一款40V對稱雙通道N 溝道 MOSFET半橋功率模塊，集成于5mmx6mm XSPairFET™ 單體封裝中，支持最常見的功率范圍，在28V工作電壓時傳輸能力高達 140W。

AONZ66412可以取代兩個DFN5x6封裝MOSFET，在提高能效的同時，減少元器件數量并簡化4顆開關升降壓架構的設計布局，是Type-C USB 3.1 EPR 應用中（包括筆記本電腦、USB 集線器和移動電源設備）升降壓轉換器的理想選擇。

AONZ66412 采用最新的倒裝（bottom source）封裝技術，是AOS XSPairFET™系列的擴展。由于降低驅動及功率回路的寄生電感，AONZ66412具有較低的開關節點振鈴。采用DFN5x6 XSPairFET™ 封裝，AONZ66412集成了高側和低側功率 MOSFET（最大導通電阻為 3.8mOhms），低側MOSFET源極直接連接到PCB上的裸露焊盤，以增強其散熱性能。改進的封裝寄生參數，使1MHz開關頻率運行成為可能，進而有利于減小電感器的尺寸。經過測試，在28V輸入電壓、17.6V 輸出和典型 USB PD 3.1 EPR 1MHz開關頻率，8A 負載條件下，AONZ66412可實現高達 97%的效率。
 

“AOS 專門設計了 AONZ66412 來滿足Type C PD 擴展功率范圍應用需求，減少電路板占位空間并提高功率密度，幫助設計人員為廣泛采用USB-PD Type C 應用實現設定的高效性能目標。AOS依然是升降壓架構解決方案的領先創新者”。

—— Rack Tsai

AOS MOSFET產品線市場總監

技術亮點