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        芯片的熱管理如何解決?

        已有521次閱讀2024-03-26標(biāo)簽:
         
        在信息時(shí)代,數(shù)據(jù)處理速度的不斷提升迫使我們面對(duì)一個(gè)巨大的挑戰(zhàn):晶體管的密度已經(jīng)達(dá)到了令人難以置信的水平,這些微小的數(shù)字開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的熱量比以往任何時(shí)候都要多。

         

        盡管表面上看似容易管理,但實(shí)際上,這引發(fā)了一系列全行業(yè)都需共同解決的新問(wèn)題——從EDA公司、工藝設(shè)備制造商、晶圓廠、封裝廠、到現(xiàn)場(chǎng)級(jí)監(jiān)控和分析提供商、材料供應(yīng)商、研究小組等。

         


        新技術(shù)帶來(lái)的挑戰(zhàn)

        近年來(lái),持續(xù)關(guān)注將更多晶體管封裝到固定區(qū)域,以及與泄漏功率的斗爭(zhēng)成為了行業(yè)的焦點(diǎn)。

         

        然而,每一個(gè)新的節(jié)點(diǎn)都帶來(lái)了一系列需要解決的新問(wèn)題。例如,環(huán)柵FET和復(fù)合FET等新的晶體管結(jié)構(gòu)變革,雖然為性能提升帶來(lái)了希望,但也給設(shè)計(jì)、計(jì)量、檢查和測(cè)試帶來(lái)了更大的挑戰(zhàn)和成本。

         

        ● 熱量與功耗的挑戰(zhàn):電源問(wèn)題,尤其是熱量問(wèn)題,正是制約了當(dāng)今芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵因素。持續(xù)增加的晶體管密度導(dǎo)致了更高的功率密度,這限制了時(shí)鐘頻率的提升。

         

        因此,許多重要的改進(jìn)都集中在晶體管本身的外圍技術(shù)上,如硬件-軟件協(xié)同設(shè)計(jì)、更快的物理層和互連、新材料的使用以及更稀疏的算法等。

         

        ● 功耗密度與時(shí)鐘頻率的制約:隨著晶體管密度的增加,功耗密度也相應(yīng)增加,從而限制了時(shí)鐘頻率的提高。

         

        因此,必須尋找外圍技術(shù)的改進(jìn),例如硬件-軟件協(xié)同設(shè)計(jì)、更快的PHY和互連、新材料用于絕緣和電子遷移率、更稀疏的算法等。

         

        ● 動(dòng)態(tài)熱梯度與熱應(yīng)力在高密度芯片和封裝中,動(dòng)態(tài)熱梯度成為一個(gè)令人擔(dān)憂的問(wèn)題。瞬態(tài)熱梯度的不可預(yù)測(cè)性和變化性,可能導(dǎo)致熱應(yīng)力,進(jìn)而影響芯片的可靠性和性能。

         

        ● 熱量帶來(lái)的問(wèn)題:熱量不僅影響系統(tǒng)的性能,還可能導(dǎo)致一系列難以預(yù)測(cè)的問(wèn)題。從電介質(zhì)的擊穿、電遷移、到內(nèi)存運(yùn)行速度的降低,以及噪聲對(duì)信號(hào)完整性的影響,這些問(wèn)題無(wú)一不在縮短芯片的壽命。

         

        應(yīng)對(duì)策略

         

        電力問(wèn)題沒(méi)有單一解決方案,但有很多局部解決方案。

        ● 限制過(guò)度設(shè)計(jì),即根據(jù)目標(biāo)用例確定必要功能,避免不必要的功能增加。

        ● 在設(shè)計(jì)中考慮實(shí)際工作負(fù)載,以確保電力覆蓋范圍足夠。

        ● 背面供電是一種選擇,特別是在最先進(jìn)的節(jié)點(diǎn)上,可以減少功耗。

        ● 利用芯片和封裝內(nèi)部的傳感器來(lái)監(jiān)測(cè)電源行為的變化也是一種方法。

        ● 通過(guò)優(yōu)化TSV布局和使用散熱通孔等方法,將熱量傳導(dǎo)到可以散熱的地方,可以有效減輕熱量問(wèn)題。

         

        電源問(wèn)題與芯片的架構(gòu)、布局布線、信號(hào)完整性、熱量、可靠性、可制造性和老化密切相關(guān)。解決這些問(wèn)題需要整個(gè)行業(yè)共同努力,學(xué)會(huì)處理或解決與功率相關(guān)的各種影響。

         

        行業(yè)需要更好地理解完整的系統(tǒng)堆棧,并采取相應(yīng)的措施。針對(duì)瞬態(tài)熱梯度的建模和分析可以幫助工程師們更好地預(yù)測(cè)和解決問(wèn)題。對(duì)于晶體管的新結(jié)構(gòu)和工藝,需要不斷創(chuàng)新并加強(qiáng)模擬和測(cè)試手段,以應(yīng)對(duì)可能的問(wèn)題。從限制過(guò)度設(shè)計(jì)到在設(shè)計(jì)上運(yùn)行實(shí)際工作負(fù)載,從背面供電到利用傳感器監(jiān)測(cè)與電源相關(guān)的行為的變化,都是應(yīng)對(duì)電源問(wèn)題的方法。

         

        隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)也在不斷增加。解決這些挑戰(zhàn)需要全行業(yè)的共同努力和持續(xù)創(chuàng)新,以確保芯片和系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行,為信息社會(huì)的發(fā)展提供可靠的支持。

        通過(guò)全面了解電源問(wèn)題的本質(zhì),并采取合適的措施,我們可以為未來(lái)的芯片設(shè)計(jì)鋪平道路,使其更加高效、可靠和可持續(xù)。

         

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