3月19日，英飛凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC™ MOSFET 2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。
CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。該半導體器件得益于其較低的開關損耗，適用于太陽能（如組串逆變器）以及儲能系統和電動汽車充電應用。
CoolSiC™ MOSFET 2000V產品系列適用于最高1500 VDC的高直流電壓母線系統。與1700V SiC MOSFET相比，這些器件還能為1500 VDC系統的過壓提供更高的裕量。CoolSiC™ MOSFET的基準柵極閾值電壓為4.5V，并且配備了堅固的體二極管來實現硬換向。憑借.XT連接技術，這些器件可提供一流的散熱性能，以及高防潮性。
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