鎧俠和西部數據率先增產，帶動全年NANDFlash供應位元年增率升至10.9%
據TrendForce集邦咨詢研究顯示，在NANDFlash漲價將持續至第二季的預期下，部分供應商為了減少虧損、降低成本，并寄望于今年重回獲利。今年三月起鎧俠/西部數據率先將產能利用率恢復至近九成，其余業者均未明顯增加投產規模。
TrendForce集邦咨詢進一步表示，為應對下半年旺季需求，加上鎧俠/西部數據本身庫存已處低水位，本次擴大投產主要集中112層及部分2D產品，有望在今年實現獲利，并進一步帶動2024年NANDFlash產業供應位元年增率達10.9%。
制程方面，2024年隨著NANDFlash價格反轉，供應商的庫存水位也開始逐步降低，為了維持長期成本競爭優勢，供應商也開始升級制程。其中，又以三星（Samsung）和美光（Micron）最積極，預估兩家業者于今年第四季時，200層以上制程產出將超過四成。
鎧俠和西部數據2024年產出重心仍為112層，而受惠于日本政府補助支持，預計今年下半年將開始移入設備，增加218層產出，預估2025年218層產出更為積極。根據鎧俠目前的制程研發規劃，為了達成更佳成本結構，并寄望能在技術及成本上重回領先地位，218層之后產品將直接邁入300層以上制程。
繼鎧俠/西部數據后，目前觀察NANDFlash供應商將陸續于下半年增加投產，但隨著PC及智能手機買家第一季庫存水位持續上升，后續采購動能進一步收斂。與此同時，AI功能并未在今年實際帶動NANDFlash容量升級，若最主要的需求市場EnterpriseSSD采購沒有明顯回升，今年整體NANDFlash需求位元成長可能不如預期。因此，TrendForce集邦咨詢預期，NANDFlash合約價漲幅自第二季起，將收斂至10~15%，至第三季會再降至0~5%。
英偉達B200售價曝光
英偉達全新一代Blackwell架構人工智能（AI）GPU已發布，首款產品為B200。英偉達CEO黃仁勛在海外媒體節目中透露，Blackwell新產品每個成本在30000~40000美元之間，其研發費用大約花費了100億美元。
這一定價，可能使得B200在人工智能領域受到歡迎，因為其前身H100的定價約在25000~40000美元之間，而新產品的性能遠超前代。
黃仁勛透露，新產品的成本不僅與芯片本身有關，還代表了藉此設計數據中心和集成適配到其它公司數據中心的成本。
B200的體積比英偉達上一代AI芯片Hopper大了一倍，集成有2080億個晶體管，配備192GBHBM3E高帶寬存儲，執行部分計算的性能是H100的30倍。該公司預計新產品將于2024年晚些時候出貨，但要等到2025年才會大批量供應。
行業動態
面板“內卷”外溢，品牌廠小心虧大錢
宏碁董事長陳俊圣日前提到PC產業風險，曾呼吁要小心面板價格持續下滑的問題。陳俊圣19日再度示警品牌廠要小心，他說，面板“內卷”情況從中國大陸外溢，變成全世界都在卷的現象，而內卷外溢又影響整個產業，品牌廠及通路庫存若沒有操盤好的話，其實很容易虧大錢。
陳俊圣指出，最近才學到一個新詞是“involution”，中文意思就是內卷，這個不是中國發明的字，其實一直都有，當這個產業沒有辦法突破，產能超過他的需求的時候，會有一個現象出來，而內卷的現象其實不只在中國發生，現在是內卷外溢，變成全世界都在卷的現象。
陳俊圣表示，面板只是其中之一，電池現在也有這個現象，這是對我們產業有影響的。那離開我們的產業以外，包含電動車、太陽能板，甚至化工原材料、鋼鐵這些全部都是供過于求，對整個產業、總體經濟影響是極大的“。
他說，以面板來說，當他供過于求會出現殺價及降低產能利用率現象，而在一路殺價過程中，品牌廠采購進來零組件就要很小心，因為你留在手上的貨可能一直降價。原來你覺得低價，但他過兩天就變高價了。
他透露：“我們有一個競爭對手上季虧錢，很重要一個原因就是他的顯示器賠錢。回過頭來，庫存沒有操盤好的話，其實很容易虧大錢，這是內卷外溢整個產業產生的影響，對品牌廠及通路端都會產生很大的影響。”
長電科技：大基金、芯電半導體正在籌劃公司股權轉讓事宜，股票暫時停牌
長電科技發布公告，公司大股東國家集成電路產業投資基金股份有限公司（簡稱“大基金”）、芯電半導體（上海）有限公司正在籌劃公司股權轉讓事宜，該事項可能導致公司控制權發生變更，公司股票自2024年3月20日（星期三）上午開市起停牌，預計停牌時間不超過兩個交易日。
SK海力士HBM3E內存現已量產，月內將供貨給英偉達
SK海力士今日宣布已開始量產最新款內存產品HBM3E，并將于3月下旬供貨給主要客戶，其中包括擁有基于Hopper架構的H200和基于BlackWell架構的B200GPU的英偉達。
SK海力士是首家HBM3E供應商，于2023年8月份完成HBM3E存儲器的開發，上個月向英偉達發送了新款12層堆疊HBM3E樣品進行測試，如今宣布量產的HBM3E存儲器應該是8層堆疊的產品，容量為24GB。SK海力士表示，其最新的HBM3E產品在速度和熱量控制上是目前業界內最好的。最新款HBM3E每秒可處理1.18TB的數據，相當于在一秒內處理230多部全高清電影（每部5GB）。同時，SK海力士的HBM3E產品在采用AdvancedMR-MUF工藝后，與上一代產品相比，散熱性能也提高了10%，減少了積熱的可能性。
SK海力士HBM業務負責人SungsooRyu表示，HBM3E的量產完善了公司AI存儲器產品陣容，并希望以HBM產品線的成功經驗，進一步提升客戶對公司的信心，穩固與前者的關系，夯實公司在AI存儲器供應領域的領先地位。
之前也有報道稱，為了應對競爭更加激烈的存儲器市場，SK海力士曾擬計劃于美國印第安納州建造晶圓廠，以及在韓國本土投資10億美元建造先進的HBM封裝設施，如今率先量產HBM3E產品，無疑使SK海力士在未來存儲器市場里占得一定先機。
談判失敗，三星員工要罷工了
三星電子最大的工會——“三星電子全國工會”宣布成立勞資糾紛委員會，將從當天開始進行勞資斗爭。
14日，韓國國家勞動關系委員會召開第三次調解會議，工會依法獲得了罷工權利，并作出中止調解的決定。但工會應資方要求擱置了爭議，并于3月14日上午與資方進行了新一輪談判，但最終談判破裂。
由于三星與工會在薪資談判方面未能取得進展，工會方面正威脅如果不滿足其要求，將采取罷工行動。此次薪資談判中，工會要求大幅度漲薪，而三星電子雖然也提出了加薪方案，但雙方在加薪幅度上存在較大差距。
據了解，2月20日，三星電子與韓國電子工會在世宗政府綜合大樓中央勞動委員會舉行的首次調解會議上未能達成協議。
調解委員會將在提出正式調解方案之前，聽取雙方陳述并調查相關事實。如果雙方接受該方案，將結束這場曠日持久的糾紛，否則工會有權罷工。
三星電子目前提供的方案是將基本工資上調2.8%，同時延長長期服務休假和生育假，并為員工配偶提供綜合體檢。相比之前提出的2.5%的工資漲幅，三星已經有所讓步。然而，這仍然遠低于工會要求的8.1%漲幅。
外媒：沙特猛砸400億美元，進軍AI領域
《紐約時報》周二（19日）報道，沙特阿拉伯政府計劃設立約400億美元的基金來投資人工智能（AI）。
報導指出，沙特阿拉伯計劃成立規模為400億美元的基金，以投資AI，這個龐大的基金有可能成為AI市場中最大的參與者。
沙特阿拉伯公共投資基金（PIF）的代表最近幾周討論了與美國創投公司AndreessenHorowitz和其他金融家的潛在合作伙伴關系，考慮在硅谷成立辦公室。
沙特政府考慮投資一些芯片制造商和擴張階段的數據中心，將于2024年下半年推動AI投資。
愛仕特/英威騰/深圳先進院，三方聯合啟動深圳市科技重大專項
近日，深圳愛仕特科技有限公司、深圳市英威騰電動汽車驅動技術有限公司、中國科學院深圳先進技術研究院簽署合作協議，聯合開發基于SiC的新能源汽車高集成度多功能驅動系統，獲得了2023年度深圳市創新創業計劃—科技重大專項項目的立項批準。
該項目技術研發涵蓋SiC功率模塊、高可靠性電子控制系統及混合動力驅動系統。其中，愛仕特將著力研發SiC功率器件的關鍵封裝及測試、驅動和結溫保護等技術，重點開發SiC驅動，實現門極震蕩的抑制、快速精準的保護性能。
愛仕特提供高質量碳化硅（SiC）功率器件。目前公司已量產650V、1200V、1700V、3300V等不同電壓等級的碳化硅MOSFET（51款）和功率模塊（66款），以及基于碳化硅（SiC）功率器件的整機應用系統解決方案，產品性能達到國際先進水平，服務于新能源汽車、光伏儲能、消費電子等領域的全球數百家客戶。
今年3月1日，愛仕特宣布，公司成功中標中國電氣裝備集團旗下“SiC模塊封裝設計與工藝開發技術服務項目”。此次中標，公司將提供SiC功率模塊封裝設計與工藝開發技術服務，在項目工期內交付基于愛仕特1200V/1700VSiC芯片的62mm封裝定制開發功率模塊。愛仕特將根據需求持續批量交付高質量SiC功率器件，進一步拓展新能源市場。
臺積電供貨商延后在美設廠，凸顯復制芯片產業鏈難度大
日經新聞報道，臺積電與英特爾的至少五家供應商，都已延后在美國亞利桑那州的建廠行動，顯示要在美國復制芯片供應鏈的挑戰比原先預期還要更大。
此前，隨著臺積電、英特爾在亞利桑那州興建晶圓廠，化學和材料制造商李長榮化工（簡稱榮化）、Solvay、長春集團、關東鑫林亞利桑那分公司（KPPCAdvancedChemicals）和崇越科技等，也都宣布在亞利桑那州的設廠計劃并購買土地。
但報導引述多位半導體產業主管的說法指出，由于營建材料和勞力成本飆高，且營建勞工短缺，這些工廠的興建工作都已暫緩或大幅縮減規模。其中一些建廠作業延后可能只是暫時的，但其他建廠計劃則是要通盤檢討，而且沒有重啟的具體時間表。供應商說，英特爾和臺積電的設廠進度比預期慢，也是延后建廠計劃的原因之一。
日經分析，這種情況并非個案，代表是更結構性的因素所造成。三位半導體材料產業的主管透露，在亞利桑那州建廠的成本，已膨脹至亞洲設廠成本的四倍或五倍，比原先規劃的預算高出「好幾倍」。
榮化總經理劉文龍向日經表示，會調整在亞利桑那州的美國廠興建步調，理由是成本飆高，初步將通過海運化學品到美國的方式，供應給在美國的客戶，不會急著在當地蓋制造廠。榮化的客戶包括臺積電、英特爾和美光等。
知情人士也透露，半導體用高純度雙氧水頂尖供應商比利時業者Solvay，也已延后興建亞利桑那工廠，除了成本疑慮，還擔心英特爾、臺積電擴產的進度會比預期還久。
另一家半導體用高純度雙氧水大廠臺灣地區長春集團，則大幅縮減亞利桑那新廠的營建規模，因為成本比預期高了數倍。
關東鑫林亞利桑那分公司延后在當地興建高純度硫酸廠，該公司主管透露，主要原因就是當地需求還不需要那么多的本地供應。長春集團和關東鑫林不愿對上述置評，Solvay則說正在了解此事。
產品創新
國產AI服務器問天WA5480G3交付，可搭載國產AI算力芯片
聯想中國官方宣布，聯想首臺可搭載國產AI算力芯片的聯想問天WA5480G3服務器今日在合肥成功交付。
聯想集團副總裁陳振寬表示：“聯想首臺國產AI服務器的問世，不僅緣于國產AI算力技術的逐步成熟，也得益于聯想與本土產業各生態伙伴的緊密合作，從設計研發到最終生產，每一步都凸顯出本地化產業模式的優勢和潛能。”
據了解，問天WA5480G3AI訓推一體服務器可靈活應用于AI通用模型訓練，大模型推理、AI生成、云游戲、科學計算等多種應用場景。
問天WA5480G3采用2顆第四代英特爾至強可擴展處理器，支持最新PCIE5.0。
通過PCIE擴展，最多可以支持10張包括最新NVIDIAH800GPU在內的，多類型、多品牌AI加速卡。
同時，提供包括直通、Balance、Common多種CPU-GPU互聯方式，避免了因為CPU-GPU數據通信方式單一與工作負載不匹配，帶來的潛在性能瓶頸和系統效率下降。
可靠性上，問天WA5480G3支持電源N+N冗余，節點內電源間互為備份，對外可以連接雙路市電，保障服務器24小時在線運行。
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