森未科技正式發布GA系列首發產品：S3L225R12GA7H_C20，可用于200kW+儲能，產品外形及引腳分布如下圖所示。

外形圖

針腳分布圖
 

S3L225R12GA7H_C20為三電平INPC拓撲，采用森未7代1200V IGBT芯片和軟恢復FRD，針對ESS雙向能量變換應用進行了芯片優化。模塊采用銅基板，并聯使用可以實現200kW+，滿足工商業儲能1500VDC系統的功率變換。

電路拓撲：INPC

一、產品特點

GA系列封裝（兼容Easy3B）

采用第7代IGBT芯片技術，并針對儲能應用進行了優化

低開關損耗

低寄生電感的模塊設計

帶銅基板，增加輸出能力

二、應用領域

儲能系統 

光伏系統

UPS等其他三電平應用

三、仿真對比

1、仿真條件：額定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。

S3L225R12GA7H總損耗為619.54*2*3(W)，效率為98.14%；國際競品***225（_B11）總損耗為636.58*2*3(W)，效率為98.09% 。

2、仿真條件：額定 Vdc=1500Vdc，Po=200kW, Vo=690Vac， Io=168Arms，PF=-1，Fsw=16kHz, SVPWM，Th=90℃。

S3L225R12GA7H總損耗為570.58*2*3(W)，效率為98.28%；國際競品***225（_B11）總損耗為583.8*2*3(W)，效率為98.25%。

S3L225R12GA7H_C20整體損耗優于進口品牌，并增加了銅基板，輸出能力和長期可靠性進一步得到提升。