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    先進(jìn)封裝2024年三大看點

    已有579次閱讀2024-03-18標(biāo)簽:

     在芯片制程不斷邁向7nm、5nm乃至更精細(xì)的3nm的過程中,晶圓代工廠正積極應(yīng)用先進(jìn)封裝技術(shù),以進(jìn)一步提升產(chǎn)品性能、優(yōu)化成本結(jié)構(gòu),并加速產(chǎn)品上市時間。先進(jìn)封裝技術(shù)引領(lǐng)著封裝技術(shù)的迭代升級,市場占比逐步攀升,有望逐漸超越傳統(tǒng)封裝技術(shù),成為行業(yè)發(fā)展的新風(fēng)向。在2024年,先進(jìn)封裝有哪些看點?

    HPC和AI帶來新的發(fā)展機(jī)遇

    先進(jìn)封裝與傳統(tǒng)封裝技術(shù)以是否焊線來區(qū)分。先進(jìn)封裝包括倒裝(FlipChip)、凸塊(Bumping)、晶圓級封裝(Wafer level package)、2.5D封裝和3D封裝等非焊線形式。傳統(tǒng)封裝的功能主要在于芯片保護(hù)、尺度放大、電器連接三項功能,先進(jìn)封裝在此基礎(chǔ)上增加了提升功能密度、縮短互聯(lián)長度、進(jìn)行系統(tǒng)重構(gòu)三項新功能。

    HPC(高性能計算)和AI技術(shù)的推動下,先進(jìn)封裝技術(shù)迎來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。隨著AI技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,眾多應(yīng)用場景以及芯片對高算力、高帶寬、低延遲、低功耗、更大內(nèi)存和系統(tǒng)集成等特性提出了更為嚴(yán)格的要求。在這一背景下,先進(jìn)封裝技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。

    數(shù)據(jù)顯示,2023年,市場上主要AI加速芯片所搭載的HBM(高帶寬內(nèi)存)總?cè)萘繉⑦_(dá)到2.9億GB,增長率接近60%。2024年增長率將超過30%。同時,隨著高端AI芯片的需求增加,先進(jìn)封裝產(chǎn)能預(yù)計在2024年增長30%至40%。YOLE數(shù)據(jù)顯示,全球先進(jìn)封裝市場在2022年至2028年期間預(yù)計將以9%的年復(fù)合增長率(CAGR)持續(xù)擴(kuò)大。全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模有望從2022年的429億美元增長到2028年的786億美元。

    就不同的封裝技術(shù)而言,FCBGA、FCCSP和2.5D/3D封裝技術(shù)將在2024年成為市場的主流。2.5D/3D封裝技術(shù)增速最快,YOLE預(yù)計其市場規(guī)模將從2022年的94億美元大幅躍升至2028年的225億美元,年復(fù)合增長率高達(dá)15.6%。

    Chiplet3D封裝備受關(guān)注

    在高性能計算蓬勃發(fā)展的當(dāng)下,先進(jìn)封裝技術(shù)之一的Chiplet(小芯片)備受業(yè)界矚目。

    中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副秘書長兼封測分會秘書長徐冬梅指出,由于AI和HPC領(lǐng)域需要處理大規(guī)模數(shù)據(jù)和復(fù)雜計算,對芯片設(shè)計規(guī)模的要求極高,因此這兩個領(lǐng)域?qū)τ贑hiplet技術(shù)的需求更為迫切。隨著AI應(yīng)用不斷發(fā)展,其背后的芯片需求也日益旺盛,展現(xiàn)出Chiplet市場的巨大潛力和增長空間。數(shù)據(jù)顯示,到2024年,Chiplet芯片的全球市場規(guī)模將達(dá)到58億美元,2035年將達(dá)到570億美元。

    與此同時,隨著算力需求的不斷提升,3D封裝技術(shù)也將在2024年迎來一場“排位賽”。據(jù)悉,3D封裝技術(shù)將多個芯片或器件垂直堆疊,從而顯著提高集成度,縮短互聯(lián)長度,進(jìn)一步提升整體性能。全球先進(jìn)芯片封裝市場規(guī)模預(yù)計將從2022年的443億美元增長到2027年的660億美元,3D封裝預(yù)計將占四分之一左右。

     

    數(shù)據(jù)來源:Yole Intelligence

    2024年,臺積電、英特爾和三星電子等企業(yè)紛紛加大投入,推動3D封裝技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。臺積電的SoIC技術(shù)作為業(yè)內(nèi)首個高密度3D Chiplet堆迭技術(shù),已經(jīng)實現(xiàn)了商業(yè)化應(yīng)用,并獲得了市場的廣泛認(rèn)可。據(jù)了解,臺積電將在2024年將SoIC技術(shù)的月產(chǎn)能從此前的1900片,拓展到月產(chǎn)能將超過3000片,增幅近60%。

    除了臺積電外,英特爾和三星電子的3D封裝技術(shù)也將在2024年實現(xiàn)量產(chǎn)。2024年1月,英特爾宣布其首個3D封裝技術(shù)Foveros已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時,三星也在積極開發(fā)其3D封裝技術(shù)X-Cube,并表示將在2024年量產(chǎn)。其為AI芯片開發(fā)的最新3D封裝技術(shù)SAINT也漸行漸近,有消息稱SAINT也將于2024年量產(chǎn)。


    中國半導(dǎo)體企業(yè)加速布局

    2024年,中國半導(dǎo)體企業(yè)也加大在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的布局。廈門云天半導(dǎo)體科技有限公司董事會秘書劉耕向《中國電子報》表示,國內(nèi)封裝企業(yè)除了布局傳統(tǒng)封裝,也在布局晶圓級封裝,包括扇出型晶圓級封裝,以及倒裝芯片封裝等。

    長電科技CEO鄭力表示,隨著綠色可持續(xù)發(fā)展概念的不斷普及,寬禁帶半導(dǎo)體也展現(xiàn)出了巨大的市場增長潛力。要保證寬禁帶半導(dǎo)體器件性能的穩(wěn)定可靠,離不開先進(jìn)的封裝技術(shù)。以5G射頻技術(shù)為例,為了實現(xiàn)5G的高帶寬、高速率和低延遲特性,產(chǎn)業(yè)界在5G射頻技術(shù)中大量采用了氮化鎵、碳化硅、硅基氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體器件。這也意味著需要用更先進(jìn)的封裝技術(shù),將不同物理特性的寬禁帶半導(dǎo)體元器件整合在一起,并實現(xiàn)信號的高速、低延遲傳輸,以發(fā)揮出寬禁帶半導(dǎo)體的最大能效。“雖然技術(shù)難度很高,但這也是提升5G以及未來6G、Wi-Fi 6、Wi-Fi 7等信號傳輸效率的關(guān)鍵一環(huán)。”鄭力說道。

    通富微電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也頻頻發(fā)力。據(jù)悉,通富微電已經(jīng)建成了融合2.5D、3D、MCM-Chiplet等先進(jìn)封裝技術(shù)的VISionS先進(jìn)封裝平臺及超大尺寸FCBGA研發(fā)平臺。與AMD、意法半導(dǎo)體等國際企業(yè)在先進(jìn)封裝領(lǐng)域均有合作。

    云天半導(dǎo)體正在發(fā)力玻璃基產(chǎn)品。劉耕表示,在保證WLP(晶圓級封裝)穩(wěn)定量產(chǎn)并提升產(chǎn)能的同時,云天半導(dǎo)體未來的發(fā)力點會放在新的玻璃基產(chǎn)品,2D/3D用于高頻濾波的玻璃基IPD(無源器件集成)已經(jīng)開始量產(chǎn),也可用于如功率放大器和功率器件的匹配芯片。同時玻璃基扇出、玻璃基轉(zhuǎn)接板等產(chǎn)品已逐步進(jìn)入產(chǎn)品化階段。

    與國際先進(jìn)水平相比,中國在先進(jìn)封裝領(lǐng)域仍存在一定的差距。數(shù)據(jù)顯示,2023年全球封裝市場中先進(jìn)封裝占比為49%,中國為39%,低于全球水平。

    徐冬梅認(rèn)為,目前,我國封裝領(lǐng)域總體仍以傳統(tǒng)的中低端封裝為主,先進(jìn)封裝技術(shù)水平與國際先進(jìn)水平還存在一定差距。在核心單元技術(shù)、高密度布線、芯片倒裝、晶圓級塑封等方面,我國尚未形成完整的技術(shù)體系,全流程開發(fā)也尚未完成。此外,先進(jìn)封裝所需的關(guān)鍵設(shè)備和材料配套還未完善,供應(yīng)鏈能力有待提升。為了彌補(bǔ)這些短板,我國需要加強(qiáng)先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新,提升核心技術(shù)和供應(yīng)鏈能力。

    這包括加大對先進(jìn)封裝技術(shù)的研發(fā)投入,加強(qiáng)與國際先進(jìn)企業(yè)的合作與交流,引進(jìn)和培養(yǎng)高端人才,推動產(chǎn)學(xué)研深度融合等。同時,還應(yīng)加強(qiáng)政策支持和資金投入,為先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展提供有力保障。

     

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