2023年全球32家專屬晶圓代工整體營(yíng)收為7430億元,相較2022年下滑了7.89%。芯思想更愿意相信這是專屬晶圓代工市場(chǎng)逐步回歸正常的信號(hào)。

2023年前十大專屬晶圓代工整體營(yíng)收為7041億元,較2022年下滑了7.69%,整體市占率增加了0.2個(gè)百分點(diǎn)。
根據(jù)總部所在地劃分,前十大專屬晶圓代工公司中,中國(guó)大陸有三家(中芯國(guó)際SMIC、華虹集團(tuán)HuaHong Group、晶合集成Nexchip),保持去年第四、第五和第九位置,2023年整體市占率為10.56%,較2022年減少0.33個(gè)百分點(diǎn);中國(guó)臺(tái)灣有四家(臺(tái)積電TSMC、聯(lián)電UMC、力積電Powerchip、世界先進(jìn)VIS),整體市占率為75.42%,較2021年的增加0.95個(gè)百分點(diǎn);美國(guó)一家(格芯GlobalFoundries),市占率為6.58%,較2021年減少0.08個(gè)百分點(diǎn);以色列一家(托塔Tower),市占率為1.35%,較2021年減少0.05個(gè)百分點(diǎn);韓國(guó)一家(東部高科DB HiTEK),市占率為0.85%,較2020年減少0.29個(gè)百分點(diǎn)。
2023年專屬晶圓代工公司與2022年相比有三個(gè)變化:第一是2023年TOP10中只有7家的營(yíng)收超過(guò)100億元,2022年只是9家營(yíng)收過(guò)100億元;第二是TOP10的營(yíng)收整體出現(xiàn)下滑,有6家公司營(yíng)收下滑超過(guò)10%,3家營(yíng)收下滑超過(guò)30%,力積電營(yíng)收下滑更是超過(guò)40%;第三是托塔排名反超世界先進(jìn)。
一、產(chǎn)能利用率低
2023年消費(fèi)電子終端市場(chǎng)需求不振,庫(kù)存調(diào)整期延長(zhǎng),加上晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充,導(dǎo)致絕大部分晶圓代工商的產(chǎn)能利用率低于80%。
2023年各大專屬晶圓代工商的約當(dāng)出貨量下滑都有所下滑
2023年臺(tái)積電12英寸約當(dāng)出貨量較2022年下滑超過(guò)20%;
2023年聯(lián)電12英寸約當(dāng)出貨量較2022年下滑28%;
2023年格芯12英寸約當(dāng)出貨量較2022年下滑超過(guò)10%;
2023年中芯國(guó)際12英寸約當(dāng)出貨量較2022年下滑17%;
由于無(wú)法獲悉華力的產(chǎn)能利用率和出貨量,2023年華虹半導(dǎo)體12英寸約當(dāng)出貨量較2022年微增;全年產(chǎn)能利用率高于80%;華虹無(wú)錫FAB7廠產(chǎn)能12月達(dá)產(chǎn)9.5萬(wàn)片。
二、科創(chuàng)板上市
2023年中國(guó)三家專屬代工公司先后上市。
2023年5月5日,晶合集成驚險(xiǎn)上市。晶合集成發(fā)行價(jià)格為19.86元/股,開(kāi)盤(pán)首日?qǐng)?bào)22.98元,當(dāng)日收盤(pán)價(jià)19.87元,當(dāng)天成交額46.34億元,換手率53.33%。
2023年5月10日,芯聯(lián)集成(原:中芯集成) 發(fā)行價(jià)5.69元,開(kāi)盤(pán)價(jià)為6.30元,盤(pán)中“驚魂一秒鐘”,當(dāng)日收盤(pán)價(jià)回歸開(kāi)盤(pán)價(jià)6.30元,當(dāng)天成交額40.04億元,換手率高達(dá)61.87%。
2023年8月7日,華虹公司上市,發(fā)行價(jià)52元,開(kāi)盤(pán)價(jià)58.88元,當(dāng)日收盤(pán)價(jià)53.06元,當(dāng)天成交額34.36億元,換手率高達(dá)60.44%。
華虹公司、芯聯(lián)集成、晶合集成分別以募資212.03億元、110.72億元、99.60億元的規(guī)模成為2023年上市公司募資金額TOP3。
三、3納米
2023年第三季,臺(tái)積電的3納米正式貢獻(xiàn)營(yíng)收,全年貢獻(xiàn)營(yíng)收超過(guò)40億美元,占全年?duì)I收比重已經(jīng)達(dá)到6%。
臺(tái)積電目前已經(jīng)量產(chǎn)包含N3、N3E,未來(lái)將會(huì)陸續(xù)導(dǎo)入N3P、N3X及鎖定車用電子市場(chǎng)的N3AE等制程,成為臺(tái)積電在2024年?duì)I收成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽堋?/span>在1月舉行的法說(shuō)會(huì)上,臺(tái)積電表示,2024年3納米營(yíng)收將可望達(dá)全年?duì)I收比重的14~16%。總裁魏哲家在法說(shuō)會(huì)上指出,幾乎全世界所有智能手機(jī)、AI及HPC等相關(guān)客戶都跟臺(tái)積電3納米制程合作,顯示臺(tái)積電具備業(yè)界最領(lǐng)先技術(shù)。
目前臺(tái)積電的3納米采用FinFET,臺(tái)積電官方宣傳表示3納米工藝比5納米相同功耗下性能提升10-15%,或在相同性能下降低功耗25%-30%。首個(gè)客戶是蘋(píng)果。據(jù)傳因?yàn)榱悸试颍鳛榕_(tái)積電的第一大客戶,蘋(píng)果已迫使臺(tái)積電修改了收費(fèi)規(guī)則,從按標(biāo)準(zhǔn)晶圓收費(fèi)改為按可用晶圓收費(fèi)。
三星在3nm工藝上采用GAA(MBCFET多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 晶體管技術(shù),被稱為SF3E,于2022年7月推出,成為第一個(gè)采用GAA生產(chǎn)3納米工藝的公司。可是良率是瓶頸,據(jù)傳自家產(chǎn)品Exynos 2500芯片良品率為0%。
四、擴(kuò)產(chǎn)
從2022年開(kāi)始,晶圓制造產(chǎn)能的擴(kuò)產(chǎn)就不停步,全球晶圓制造產(chǎn)能預(yù)期在2027年將較2023年增長(zhǎng)30%;先進(jìn)工藝產(chǎn)能較2023年增長(zhǎng)70%。
受芯片法案的影響,美國(guó)現(xiàn)有的8英寸工廠基本都在擴(kuò)產(chǎn);12英寸工廠建設(shè)步伐雖稍有推遲,但不影響其最終結(jié)果;
受日本芯片法案和新能源電動(dòng)廠的影響,日本正在興建5個(gè)以上的8英寸晶圓制造工廠;臺(tái)積電的布局,更是讓日本在先進(jìn)工藝上再進(jìn)一步;
受歐盟芯片法案和新能源電動(dòng)廠的影響,歐盟的晶圓制造產(chǎn)能也沒(méi)有停步,英特爾的最先進(jìn)制程落地愛(ài)爾蘭,臺(tái)積電在德國(guó)開(kāi)始布局;意法的兩個(gè)合資12英寸工廠也如期而至。
中國(guó)擴(kuò)產(chǎn)更是大大的,上海、北京、無(wú)錫、廣州、深圳、天津、重慶、西安、成都、臺(tái)北、高雄、臺(tái)南、臺(tái)中、新竹、苗栗,只要是個(gè)城市,都有晶圓制造大工地。










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