又有一批12個(gè)不同型號(hào)的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模塊上市，他們采用CoolSiC™ MOSFET增強(qiáng)型1代，適用于電動(dòng)汽車(chē)充電、UPS和光伏、儲(chǔ)能。

這些模塊采用PressFIT壓接技術(shù)并帶NTC溫度檢測(cè)，有Al2O3/AlN DCB兩種版本，型號(hào)中帶P的是預(yù)涂TIM材料。

產(chǎn)品型號(hào)：

▪️ F4-8MR12W2M1H_B70

8毫歐 H橋 AlN DCB

▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76

8毫歐 H橋TIM

▪️ F4-11MR12W2M1H_B70

11毫歐 H橋 AlN DCB

▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76

11毫歐 H橋 TIM

▪️ F4-33MR12W1M1H_B76

33毫歐 H橋

▪️ F4-17MR12W1M1H_B76

17毫歐 H橋

▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76

17毫歐 H橋 TIM

▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19

11毫歐 T-三電平 TIM

▪️ FF11MR12W2M1H_B70

11毫歐 半橋 AIN DCB

▪️ FF11MR12W2M1HP_B11

11毫歐 半橋 TIM

▪️ FS13MR12W2M1H_C55

13毫歐 三相橋 AIN DCB

▪️ FS13MR12W2M1HP_B11

13毫歐 三相橋 TIM 

產(chǎn)品特點(diǎn)

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B，Easy2B封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區(qū)寬

柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口大

PressFIT引腳

應(yīng)用價(jià)值

擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V到-10V

在過(guò)載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C

最佳的性價(jià)比，可降低系統(tǒng)成本

可工作在高開(kāi)關(guān)頻率，并改善對(duì)冷卻要求

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

完整的半橋SiC模塊產(chǎn)品組合，包括標(biāo)準(zhǔn)Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB

應(yīng)用領(lǐng)域

電動(dòng)汽車(chē)充電

儲(chǔ)能系統(tǒng)

光伏

UPS