又有一批12個不同型號的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模塊上市，他們采用CoolSiC™ MOSFET增強型1代，適用于電動汽車充電、UPS和光伏、儲能。

這些模塊采用PressFIT壓接技術并帶NTC溫度檢測，有Al2O3/AlN DCB兩種版本，型號中帶P的是預涂TIM材料。

產品型號：

▪️ F4-8MR12W2M1H_B70

8毫歐 H橋 AlN DCB

▪️ F4-8MR12W2M1HP_B76

8毫歐 H橋TIM

▪️ F4-11MR12W2M1H_B70

11毫歐 H橋 AlN DCB

▪️ F4-11MR12W2M1HP_B76

11毫歐 H橋 TIM

▪️ F4-33MR12W1M1H_B76

33毫歐 H橋

▪️ F4-17MR12W1M1H_B76

17毫歐 H橋

▪️ F4-17MR12W1M1HP_B76

17毫歐 H橋 TIM

▪️ F3L11MR12W2M1HP_B19

11毫歐 T-三電平 TIM

▪️ FF11MR12W2M1H_B70

11毫歐 半橋 AIN DCB

▪️ FF11MR12W2M1HP_B11

11毫歐 半橋 TIM

▪️ FS13MR12W2M1H_C55

13毫歐 三相橋 AIN DCB

▪️ FS13MR12W2M1HP_B11

13毫歐 三相橋 TIM 

產品特點

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B，Easy2B封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區寬

柵極驅動電壓窗口大

PressFIT引腳

應用價值

擴展了柵源電壓最大值：+23V到-10V

在過載條件下，Tvjop最高可達175°C

最佳的性價比，可降低系統成本

可工作在高開關頻率，并改善對冷卻要求

競爭優勢

完整的半橋SiC模塊產品組合，包括標準Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB

應用領域

電動汽車充電

儲能系統

光伏

UPS