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    國產替代不可當,芯三代“卷”出圈?

    已有2133次閱讀2024-01-29標簽:
     
    受益于碳化硅下游市場需求逐步放大,外延生長在SiC器件制造成本中占比超20%,SiC外延設備是第三代半導體SiC器件制造的核心裝備之一,下游市場的飛速增長,不斷的擴產需求也助推了碳化硅外延設備的市場增長,國內的外延設備企業紛紛開始推動布局。

     

    市場競爭也已進入白熱化,據InSemi的碳化硅設備市場報告,國內當前碳化硅外延設備的企業數量已接近10余家,國內碳化硅外延市場僅國產設備市場存量已超370臺。國產設備的占比在不斷提升,2023年國產設備出貨量占比已全面超越海外。對比碳化硅全產業鏈所需設備的國產替代現狀,碳化硅外延設備的國產化率“遙遙領先”。

     

    國內以垂直腔設備進行差異化競爭的公司芯三代在2023年出貨和市占也有進一步的提升,據芯三代披露的信息,公司將工藝和設備緊密結合研發的SiC-CVD設備通過溫場控制、流場控制等方面的設計,在高產能、6/8英寸兼容、COO成本、長時間多爐數連續自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有明顯的優勢。
     

     


    芯三代落戶在美麗的金雞湖畔

    芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(以下簡稱“芯三代”)成立于2020年,是一家根植本土,擁有全球高端人才和自主知識產權的尖端半導體芯片制造設備公司。致力于建立以中國為甚地、世界領先的第三代半導體產業關鍵設備和核心技術平臺,團隊核心管理和技術專家均來自國際國內一流的半導體設備公司、行業頭部企業以及頂尖研發機構,有數十年多種高端半導體芯片制造設備研發和產業化的成功經驗。

     

    公司首期聚焦SiC外延裝備,擬建立以中國為基地,世界領先的第三代半導體及泛半導體關鍵技術和高端裝備的研發和產業化平臺,旨在實現第三代半導體SiC外延設備(SiC-CVD)的國產化,突破國外公司的長期技術壟斷局面,實現國產替代。

     

    公司主營產品為基于超高溫CVD技術的垂直進氣碳化硅外延設備系列,該產品系列由單腔單片6英寸、雙腔單片6英寸、單腔單片8英寸、雙腔單片8英寸等不同產品組成,用于6/8英寸碳化硅同質外延生長。通過超高溫CVD方式精確控制各種氣體流量來精確控制薄膜的厚度、組分和導電類型,在SiC襯底晶片表面制備大面積、高均勻性的外延膜,給第三代半導體功率芯片器件制造提供基礎材料,是制造碳化硅功率芯片的關鍵設備。

     

    2023年3月29號,作為江蘇省科技創新企業代表,芯三代亮相央視新聞聯播。2023年下半年,芯三代自主研發的8吋垂直氣流外延設備已經幫助兩家客戶順利完成8吋SiC外延工藝的調試和首批8吋外延片訂單交付,從而證明國產外延設備不僅在6吋SiC上已經實現超越,在8吋SiC上也取得突破性進展,尤其在缺陷率指標上更勝一籌。

     

    產品推薦

     

    核心優勢

     

    自成立以來,自主申請92項知識產權,授權知識產權43項,其中授權發明專利12項。公司現有團隊100人,其中博士3人,碩士13人,研發人員40人左右。2020年9月,公司初創,創始股東為江蘇省產業技術研究院、蘇州工業園區領軍創業投資公司。公司2023年5月完成C輪融資且資金全部到位,目前公司在做新一輪D輪融資。

     

    公司獲得榮譽和項目支持

     

    2023年

    中國潛在獨角獸企業榮譽

     

    2022年

    江蘇省科技成果轉化專項資金項目支持

    “江蘇省潛在獨角獸企業”認定

     

    2021年

    中國創新創業大賽初創組優秀企業

    “創業江蘇”總決賽初創組一等獎

     

    2020年

    姑蘇實驗室“第三代半導體碳化硅外延設備”首批立項和園區重大領軍立項

     

    5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下,第三代半導體材料迎來加速發展。據悉,2024年6月26-28日 芯三代將帶著高端的碳化硅外延裝備與技術亮相SEMI-e2024第六屆深圳國際半導展,同期第三代半導體產業發展高峰論壇,與行業精英匯聚一堂,共同探索第三代半導體的發展之路。

     

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