GaN SBD發展歷程

但實際上，關于GaN SBD，甚至是GaN MOSFET等器件的開發業界也一直有研究，GaN SBD更是早已有廠商推出相關產品。早在1999年，加州理工學院的Bandic等人首次發表了關于GaN SBD的研究論文，在這篇論文中，他們研究了器件的基本結構，并做出了擊穿電壓為450V，正向導通壓降為4.2V的GaN SBD。到了2001年，弗羅里達州立大學便通過設置P型保護環和場版結構將反向擊穿電壓做到了1000V。

2007年，Velox公司和意法半導體合作，首次將耐壓600V的電源用GaN SBD產品推出市場，成為了第一款商業化的GaN SBD產品。隨后在2010年，Velox被PI收購，而這個時候也有更多廠商加入到GaN SBD的開發中。

在早期，氮化鎵器件因為襯底片制造上的限制，大多都在藍寶石襯底上外延出GaN外延層，再在外延層上制造器件。但藍寶石是絕緣體，難以實現垂直型的導電結構。考慮到大電流通過的需求，GaN SBD也大多為平面型結構。不過隨著材料技術的發展以及理論研究的進一步完善，GaN SBD器件也有了新的進展。2010年，日本的Powdec KK公司推出垂直型GaN SBD，它采用了特殊的藍寶石襯底剝離技術，實現了高于600V的反向擊穿電壓、低于現有硅基電力電子器件100倍的通態電阻以及50%的功率損耗。

即使如此其實也距離GaN SBD的理論性能相差甚遠，GaN SBD理論上的性能，比如導通電阻、擊穿電壓等都要大幅領先于SiC SBD。在相同的耐壓值下，GaN SBD的導通電阻可以是SiC SBD的十分之一。

在2015年，松下宣布開發出GaN 二極管，能夠支持四倍于傳統碳化硅二極管的工作電流，同時其低開啟電壓的特性也支持二極管在低電壓下工作。松下提出了一種具有p型層（具有成型加工的槽）的混合型氮化鎵二極管，并研發了一種加工技術，可有選擇性地移除n型層上的p型層，從而實現大工作電流和低開啟電壓，同時實現1.6kV的擊穿電壓。

2021年，蘇州晶湛半導體宣布其研發的GaN SBD擊穿電壓超過10kV，是全球范圍有史以來報道中實現的最高值。晶湛與美國弗吉尼亞理工大學電力電子技術中心（CPES）合作，采用了晶湛的新型多溝道AlGaN/GaN異質結構外延片，以及pGaN降低表面場技術（RESURF)。

通過MOCVD方法在4英寸的藍寶石襯底上單次連續外延實現，無需二次外延，由于采用廉價的藍寶石襯底和水平器件結構，其器件的制備成本遠低于碳化硅同類產品的同時，導通電阻率遠低于10kV耐壓的SiC SBD。蘇州納米所在2022年也成功基于硅基氮化鎵材料，成功研制了1200 V的pn結功率二極管，并且采用了垂直型結構。在商業化應用上，國內氮化鎵IDM廠商譽鴻錦在2023年也發布了電壓為50V/100V的三款GaN SBD產品，采用了垂直結構，具有開啟電壓低、損耗小、導通電阻率小、成本低、溫漂小、高溫穩定性好等優勢。

目前在功率二極管方面，GaN仍有巨大的應用潛力，不過目前商業應用的進展仍較慢，未有大規模的應用落地。在這其中還有很多問題需要解決，尤其是大功率的器件散熱以及隨之帶來的可靠性問題等。