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    英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部:做更可靠的SiC解決方案提供商

    已有3122次閱讀2024-01-11標(biāo)簽:

     英飛凌作為全球功率半導(dǎo)體市場絕對的領(lǐng)軍者,對全球“減碳”事業(yè)的探索也一直走在前列。2023年4月,英飛凌還將工業(yè)功率控制事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率(GIP,Green Industrial Power)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場的決心和信心。

     

    SiC作為英飛凌減碳事業(yè)的關(guān)鍵產(chǎn)品,一直以來英飛凌對SiC產(chǎn)品在多個關(guān)鍵應(yīng)用市場推進(jìn)付出了諸多努力。同時,英飛凌也堅定看好SiC的發(fā)展前景,2024年,英飛凌還將發(fā)布多款碳化硅產(chǎn)品和新一代碳化硅技術(shù)。

     

    本次我們邀請到英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)產(chǎn)品總監(jiān)王丹先生,給我們分享一下英飛凌SiC產(chǎn)品在零碳工業(yè)市場的探索進(jìn)展與計劃:

     

     
     

    Q1、英飛凌目前工業(yè)市場應(yīng)用的CoolSiC™芯片技術(shù)迭代現(xiàn)狀,以及可靠性表現(xiàn)?

     

    A:碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題。英飛凌M1H CoolSiC™ MOSFET非對稱溝槽柵提供性能與可靠性的最優(yōu)折衷設(shè)計。

     

    作為溝槽柵技術(shù)的倡導(dǎo)者和先行者,英飛凌CoolSiC™ MOSFET采用非對稱溝槽柵結(jié)構(gòu),這一創(chuàng)新的技術(shù)很好解決了柵極氧化層的可靠性問題,也提高了SiC MOSFET的性能,而且使得每個晶圓可以比平面柵多產(chǎn)出30%的芯片,在成本和性能上保持持續(xù)的競爭優(yōu)勢。

     

     

    新推出的增強型M1H碳化硅(SiC)MOSFET芯片,進(jìn)一步改善了柵氧化層質(zhì)量,使得閾值漂移可以忽略不計,并且顯著拓寬了柵極電壓窗口。M1H芯片的閾值電壓約4.5V,具有非常低的米勒電容,能夠有效抑制寄生導(dǎo)通現(xiàn)象,增加可靠性。

     

    英飛凌CoolSiC™芯片技術(shù)性能上的優(yōu)勢,使變換器的設(shè)計可以變得更有效率,單個逆變器的額定功率得以進(jìn)一步提高,從而降低整體系統(tǒng)成本。

     

    Q2、碳化硅滲透率持續(xù)走高,英飛凌碳化硅產(chǎn)品在工業(yè)市場的出貨占比及趨勢預(yù)測如何?

     

    A:我們預(yù)計到2030年,SiC的市場規(guī)模將增長至200億歐元。屆時,英飛凌將占據(jù)全球30%的SiC市場份額,其中工業(yè)和汽車應(yīng)用市場的占比預(yù)計將各為50%。

     

    Q3、目前碳化硅1200V市場英飛凌正在高速滲透,可否介紹下對于電壓要求等級更高的市場(如3300V)需求何時會推出量產(chǎn)產(chǎn)品,如何看待高壓市場的碳化硅需求?

     

    A:光伏,電動汽車,儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展已經(jīng)成為行業(yè)的必然趨勢,這對半導(dǎo)體器件也提出了高耐壓要求。

     

    相比于硅基高壓器件,碳化硅開關(guān)器件擁有更高的頻率和更小的導(dǎo)通電阻以及開關(guān)損耗,在大功率或超大功率應(yīng)用領(lǐng)域有著天然的應(yīng)用優(yōu)勢,也必將伴隨著應(yīng)用的發(fā)展向著更高的電壓等級蓄力發(fā)展。

     

    英飛凌在碳化硅芯片技術(shù)、器件設(shè)計和應(yīng)用上積累了20多年豐富經(jīng)驗和創(chuàng)新的技術(shù),并且不斷推陳出新,推出更高電壓等級的SiC功率器件,在工業(yè)級與車規(guī)級解決方案并行發(fā)力,橫跨600V至3300V規(guī)格。

     

    2022年2000V CoolSiC™ MOSFET推出Easy3B封裝的功率模塊,今年2000V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品——62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H產(chǎn)品。

     

    此外,2023年英飛凌推出3.3kV XHP2 CoolSiC™ MOSFET功率模塊,專門針對牽引應(yīng)用量身定制。該模塊不僅滿足牽引等苛刻的運行條件,而且可使列車電機(jī)和變頻器的總能耗降低10%,有助于打造更環(huán)保、更安靜的列車。這些特性對于未來的列車交通極其重要。

     

    正是由于SiC MOSFET的出色性能,其在光伏逆變器UPS、ESS、電動汽車充電、燃料電池、電機(jī)驅(qū)動和電動汽車等領(lǐng)域都有越來越廣泛的應(yīng)用。

     

    Q4、產(chǎn)能問題是否還是當(dāng)前影響市場應(yīng)用的主要問題?英飛凌在碳化硅產(chǎn)品供應(yīng)鏈布局上做了哪些調(diào)整?

     

    A:過去的三四年里,晶圓供應(yīng)短缺一直是制約寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大瓶頸之一。面對不斷增長的市場需求,包括英飛凌在內(nèi)的眾多重量級玩家已經(jīng)意識到必須擴(kuò)大投資,以支持供應(yīng)鏈建設(shè)。

     

    英飛凌旨在成為行業(yè)最具競爭力的SiC技術(shù)提供商,目標(biāo)到2030年之前,在全球碳化硅市場中所占的份額提高到30%,碳化硅年收入超70億歐元。

     

    2023年,英飛凌投資50億歐元在馬來西亞建造全球最大的8英寸碳化硅功率晶圓廠;對菲拉赫工廠現(xiàn)有硅設(shè)備進(jìn)行改造,將現(xiàn)有的150毫米和200毫米硅生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)線中心。

     

    此外,英飛凌與包括天岳先進(jìn)和天科合達(dá)在內(nèi)的6家SiC供應(yīng)商簽訂了晶圓和晶錠供應(yīng)供貨協(xié)議,確保供應(yīng)鏈高效安全,蓄足力量迎接碳化硅市場的強勁增長,鞏固SiC技術(shù)和規(guī)模方面的領(lǐng)先地位。

     

    Q5、工業(yè)端客戶對成本更加看重,以光伏市場為例,國內(nèi)碳化硅產(chǎn)品供貨價格競爭激烈,英飛凌如何在客戶端構(gòu)建高競爭壁壘?

     

    A:堅持技術(shù)創(chuàng)新:英飛凌作為以創(chuàng)新為立命之本的半導(dǎo)體企業(yè),長久以來,一直踐行以技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新,以產(chǎn)品創(chuàng)新驅(qū)動應(yīng)用創(chuàng)新的理念。

     

    作為功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者,英飛凌連續(xù)20年蟬聯(lián)全球功率半導(dǎo)體市場占有率第一的殊榮,并且不斷加碼第三代半導(dǎo)體,從硅,碳化硅到氮化鎵,英飛凌在所有材料和技術(shù)的功率系統(tǒng)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,通過技術(shù)創(chuàng)新和差異化產(chǎn)品在市場中保持領(lǐng)先地位。

     

    堅持客戶導(dǎo)向:半導(dǎo)體技的產(chǎn)品創(chuàng)新與應(yīng)用創(chuàng)新以前所未有的方式在加速的融合,共同迭代成長。英飛凌始終與客戶緊密站在一起,傾聽客戶的聲音,與客戶一起設(shè)計領(lǐng)先的方案,共同參與新興應(yīng)用的早期開發(fā),推出更多滿足客戶需求的產(chǎn)品,助力他們成為本土市場的技術(shù)引領(lǐng)者。

     

    堅持長期主義:英飛凌秉持長期主義的經(jīng)營理念,順應(yīng)全球低碳化和數(shù)字化兩大方向,積極布局消費電子、能源、汽車三個板塊的長期發(fā)展,從原材料的供應(yīng)到生產(chǎn)流程的優(yōu)化,多管齊下,我們?nèi)姘芽厣a(chǎn)流程,確保供應(yīng)鏈的長期安全可靠。立足長遠(yuǎn)的技術(shù)路線,優(yōu)質(zhì)可靠的質(zhì)量保證,形成差異化的,規(guī)模化的競爭優(yōu)勢,從容應(yīng)對市場的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

     

    Q6、碳化硅目前在工業(yè)端不同市場應(yīng)用節(jié)奏不同,除光伏市場外,英飛凌還看好哪些應(yīng)用市場?哪些產(chǎn)品賦能客戶應(yīng)用設(shè)計升級?

     

    A:SiC器件的應(yīng)用潛力貫穿于整個能源轉(zhuǎn)換鏈,可為交通、新能源發(fā)電、儲能、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景中提供能效提升的潛力。

     

    以光伏為例,采用英飛凌CoolSiC™系列的碳化硅MOSFET,在重量不變的前提下,可以將組串式逆變器的功率翻倍。高溫工作時的效率下降現(xiàn)象也會因為碳化硅器件的使用而大大改善。

     

    而在儲能系統(tǒng)中,電池是主要成本擔(dān)當(dāng),如果從超級結(jié)MOSFET切換到1200V的碳化硅MOSFET,可以降低電池?fù)p耗,在不增加電池尺寸的前提下提升電池電量。

     

    此外,CoolSiC™ MOSFET可減小工業(yè)電源的系統(tǒng)尺寸,使全天候運行的不間斷電源系統(tǒng)能耗大幅降低。 

    而面向電動汽車充電樁應(yīng)用,英飛凌碳化硅產(chǎn)品得益于其高功率密度的優(yōu)勢,器件數(shù)量較同類硅解決方案減少了一半,可以實現(xiàn)更高的充電效率。

     

    英飛凌提倡“從產(chǎn)品到系統(tǒng)”的戰(zhàn)略方針,但從產(chǎn)品技術(shù)到解決方案,是一項龐大的系統(tǒng)工程,并非僅靠一己之力就能順利實現(xiàn),只有通過與客戶的緊密合作,深耕于對客戶的理解,才能夠解決客戶系統(tǒng)面臨的問題,幫助客戶的系統(tǒng)實現(xiàn)最優(yōu)。也只有這樣,才能真正設(shè)計出既有創(chuàng)新力,又被市場認(rèn)可的產(chǎn)品。

     

    Q7、2023年初,英飛凌重新命名了工業(yè)應(yīng)用部門,可以介紹下GIP主要面對的市場客戶及部門使命嗎?

     

    A:英飛凌是唯一一家在能源效率方面,可以面向發(fā)電、輸電、配電和儲能領(lǐng)域提供完整產(chǎn)品和系統(tǒng)解決方案的功率半導(dǎo)體公司,應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛,覆蓋發(fā)電、儲能、電力傳輸、家電、工業(yè)驅(qū)動、工業(yè)電源供應(yīng)、工業(yè)機(jī)器人、工業(yè)車輛、牽引等,在能源轉(zhuǎn)換鏈的每個環(huán)節(jié)都必不可少。

     

    英飛凌致力于為世界注入無限綠色能源,讓每一個人都能隨時隨地獲取所需的能源。2023年4月,工業(yè)功率控制(IPC,Industry Power Control)事業(yè)部正式更名為零碳工業(yè)功率(GIP,Green Industrial Power)事業(yè)部,也可以看出英飛凌繼續(xù)加碼綠色能源市場的決心和信心。

     

    英飛凌在風(fēng)能和太陽能領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,公司的功率半導(dǎo)體為整個能源轉(zhuǎn)換鏈樹立了很高的效率標(biāo)準(zhǔn)。未來,英飛凌將繼續(xù)憑借廣泛的產(chǎn)品組合和技術(shù),以及在功率半導(dǎo)體、軟件和服務(wù)方面的前沿專業(yè)知識和經(jīng)驗豐富的全球團(tuán)隊,助力社會綠色轉(zhuǎn)型,推動整個行業(yè)、社會邁向凈零排放、實現(xiàn)雙碳目標(biāo)。

     

    Q8、2024年會有新的碳化硅產(chǎn)品推出計劃嗎?

     

    A:2024年,英飛凌碳化硅產(chǎn)品將有重磅產(chǎn)品發(fā)布。此外,英飛凌下一代碳化硅技術(shù)也將在2024年有更詳細(xì)的披露,敬請期待!

     

     
     

    可以看出英飛凌對碳化硅發(fā)展前景寄予厚望,并信心十足。從碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局上看,英飛凌在產(chǎn)品、產(chǎn)能、應(yīng)用等方面正在全面滲透并逐步提升碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)品組合以及產(chǎn)能,為即將迎來爆發(fā)的市場做了充足準(zhǔn)備!

     

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