EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B采用CoolSiC™ MOSFET增強型1代，適用于1200V應用。這些模塊采用PressFIT壓接技術并帶NTC溫度檢測。它們還提供預涂熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號。
相關器件：
▪️ FS33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V 三相橋
▪️ FS33MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 三相橋低熱阻版本
▪️ FS28MR12W1M1H_B11
28mΩ 1200V 三相橋
▪️ FF55MR12W1M1H_B11
55mΩ 1200V 半橋
▪️ FF55MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 半橋低熱阻版本
產品特點
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區寬
柵極驅動電壓窗口大
PressFIT引腳
應用價值
擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
最佳的性價比，可降低系統成本
可工作在高開關頻率，并改善對冷卻要求
競爭優勢
擴展現有產品系列
半橋模塊和三相橋模塊
帶或不帶預涂導熱材料TIM模塊版本
提供標準DCB和高性能DCB
應用領域
電機控制和驅動
伺服電機驅動和控制
電動汽車充電
共0條 [查看全部] 網友評論