根據英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領域貢獻了約13%的年度營收。根據Omdia 9月公布的最新數據，英飛凌功率半導體器件繼續穩居全球第一，占據超20%的市場份額。

今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道路上的高光時刻。

百舸爭流，

唯創新方能立于不敗之地

綠色能源領域是英飛凌專注耕耘且市場影響巨大的領域，英飛凌的系統方案覆蓋了新能源發電、輸電、供電的整個能源轉換鏈。

作為零碳技術的創新伙伴，英飛凌憑借在功率半導體領域數十年的經驗積累和沉淀，以及對系統和應用的深刻理解，在2023年面向綠色能源和零碳工業應用發布了一系列功率半導體器件和驅動芯片，新的參考設計板和評估板。因篇幅有限，選取幾款明星產品快速一覽：

業界首發，

1200V H7最大電流規格達140A

2023年，英飛凌重磅發布TRENCHSTOP™ IGBT7單管全系列產品，包括T7，S7，H7三個系列，覆蓋了650V和1200V兩大電壓等級，5種不同的封裝，近40多個產品型號，極大地豐富了用戶的選擇。

得益于IGBT7微溝槽技術，TRENCHSTOP™ IGBT7單管系列極大的優化了開關損耗和導通損耗，相較于市場上的IGBT單管元器件，英飛凌1200V H7產品最大電流達140A，成為業內第一款1200V實現額定電流140A的IGBT分立器件，相較于英飛凌上一代1200V高速單管High Speed H3的75A最大電流規格有了大幅的提升。此外，650V H7單管的電流等級達到150A。這高規格的電流可以減少IGBT并聯的數量，對于減小系統尺寸和減輕重量有極大的幫助。該系列還擁有強大的防潮和抗宇宙射線能力，正在成為光伏和儲能應用的炙手可熱的新星。

做大做強，

CoolSiC™產品持續向更高電壓等級發力

2023年上市的CoolSiC™ 1200V MOSFET模塊（最大規格1mΩ）和CoolSiC™ 2000V MOSFET模塊（最大規格2.6mΩ）系列新添全新工業標準封裝產品。采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，以及成熟的62mm封裝的半橋模塊，使SiC MOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應用的功率密度已達極限值。而2000V的電壓等級，滿足現代系統設計中的高耐壓要求。借助英飛凌CoolSiC™芯片技術，變換器的設計可以變得更有效率，單個逆變器的額定功率得以進一步提高，從而降低整體系統成本。

煥發新生，

英飛凌擴展1200V 62mm IGBT7產品組合

作為溝槽柵技術的倡導者和先行者，英飛凌IGBT芯片技術不斷創新，引領行業的產品技術不斷升級。2023年正式推出搭載1200V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的62mm半橋和共發射極模塊產品組合，推出全新電流額定值模塊，最大電流規格高達800A。基于新型微溝槽技術，1200V 62mm IGBT7模塊系列的靜態損耗遠遠低于搭載IGBT4芯片組的模塊，IGBT的振蕩行為和可控性也得到了提升。此外，全新功率模塊的最大過載結溫為175°C。這些特性大大降低了應用中的損耗。系統設計人員在設計額定電流更高方案的時候，不僅提供最大的靈活性，還提供更高的功率密度和更優秀的電氣性能。

創新“驅動”，

EiceDRIVER™增強型系列再添拳頭產品

每一個功率器件都需要一個驅動芯片，合適的驅動芯片總能帶來事半功倍的效果。2023年推出EiceDRIVER™ F3增強型（1ED332x）系列是一個隔離型柵極驅動器系列。輸出電流能力大，+6A/-8.5A的典型峰值輸出電流，可用于大功率逆變器和寬禁帶器件。具備精確的VCEsat檢測（DESAT），帶故障輸出。退飽和檢測后的軟關斷在驅動IGBT和CoolSiC™能做好短路保護。有源米勒鉗位功能使其成為使用SiC MOSFET和TRENCHSTOP™ IGBT7的快速開關單電源設計應用的理想選擇。通過UL 1577認證以及IEC 60747-17，適用于伺服驅動器，UPS系統等應用。