據悉，雙方在功率半導體制造和增加批量生產方面的合作計劃已得到日本經濟部的支持，雙方將共計獲得1294億日元（9.02億美元，相當于總投資的三分之一）的補貼，以支持其在日本國內的功率半導體的生產。

圖片來源：東芝官網
 

根據聲明顯示，羅姆和東芝將分別針對碳化硅（SiC）和硅（Si）功率器件進行密集投資，有效增強其供應能力，并實現互補利用對方的生產能力。其中，羅姆計劃將大部分投資2892億日元用于其主導的SiC（碳化硅）晶圓生產，其計劃在九州島南部宮崎縣建造一座新工廠。東芝則計劃出資991億日元，在日本中部石川縣建設一座尖端的300mm晶圓制造工廠。

值得注意的是，今年9月21日，東芝就已宣布，由私募股權基金“日本產業合作伙伴”（JIP）牽頭的150億美元要約收購已成功獲得超過一半股東的支持，達到了將公司私有化的門檻，這一消息標志著東芝公司的上市歷史將在今年畫上句號。12月20日，東芝將從東京證券交易所退市。

羅姆則深度參與了東芝私有化過程，此前羅姆決定投資3000億日元，加入由私募股權公司JIP牽頭的將東芝私有化的團隊。對此消息，兩家公司都強調，合作的考慮已經“有一段時間了”，羅姆對東芝收購的投資并沒有成為當前聯合計劃的推動力。

全球爭相布局功率半導體

在功率半導體領域，日本廠商包括東芝、羅姆、瑞薩、三菱電機、富士電機、Resonac在全球都有著較強競爭力，以上廠商近年來爭相在功率半導體領域布局。

據悉，羅姆計劃在2028年3月底前向SiC注入5100億日元發展碳化硅產業鏈。目標是到2030年SiC晶圓產能相比2021年提高35倍，據悉，到2025年羅姆SiC產能將提升6.5倍。

東芝電子在2月份透露，2025年將開始量產碳化硅材料的功率半導體。

瑞薩則將于2025年開始生產使用碳化硅（SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。計劃在目前生產硅基功率半導體的群馬縣高崎工廠進行量產，但具體投資金額和生產規模尚未確定。

三菱電機今年3月宣布，將在截至2026年3月的時間內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約2600億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產。7月，三菱電機宣布已入股Novel Crystal Technology, Inc.。在以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體逐漸進入產業化并加速放量的階段，三菱電機為搶占技術先機按下了“快捷鍵”。

富士電機則從2022年開始增產，其旗下的子公司富士電機津輕半導體的工廠也將引進碳化硅功率半導體的生產線，將于2024年開始量產。

Resonac前身為昭和電工，擁有碳化硅（SiC）外延片全球市場份額的25%。該廠商計劃到2026年SiC外延片月產能提升至5萬片（直徑150毫米），相當于目前產能的五倍左右。

此外，美國、歐洲的幾家芯片制造商近期也宣布投資數十億美元建設新的碳化硅晶圓廠和研發設施，以增加供應。

安森美表示，正在韓國京畿道富川市建設全球最大的碳化硅（SiC）生產設施，目標2024年完成設備安裝，使富川市成為全球SiC生產中心。到2025年，富川工廠的SiC半導體年產能預計將達到100萬片，將占據安森美總產量的35%至40%。

Wolfspeed在今年2月份表示與采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。雙方計劃建立聯合創新實驗室，推動碳化硅系統和設備技術在出行、工業和能源應用領域的進步。該戰略合作伙伴關系還包括采埃孚一項重大投資，支持在德國恩斯多夫建設世界上最大和最先進的200毫米碳化硅晶圓工廠。6月份有消息稱Wolfspeed獲得20億美元融資，資金將用于擴建公司在美國已有的兩個碳化硅晶圓生產設施，并為捷豹、路虎等汽車廠商供應碳化硅芯片。

X-FAB則在今年5月份宣布計劃擴大其在美國得克薩斯州拉伯克市（Lubbock）的代工廠業務。第一階段的投資額為2億美元，以提高該廠區的碳化硅半導體產量，根據市場需求，后續會有更多的投資項目上馬。

博世今年9月宣布收購美國芯片制造商TSI Semiconductor，以增強其在美洲的碳化硅供應鏈。雖然交易條款尚未披露，但博世已承諾向 TSI 羅斯維爾園區投資約 15 億美元。

意法半導體則透露了將 SiC 晶圓生產引入內部的計劃，據稱此舉將在本世紀末帶動 50 億美元的年收入。