目前，衡量半導體尖端技術的指標一般使用納米。具體是指半導體電路的線寬，電路越細半導體的處理能力和數據存儲容量越高，還能夠抑制電力消耗，并有助于半導體晶片的小型化。半導體廠商一直在競相推進全是益處的「電路微細化」。

回顧大規模集成電路（LSI）的歷史，英特爾在1971年推出的「Intel 4004」成為起點。當時的線寬為10微米左右，換算成納米是1萬納米。從那時起，按照半導體晶片單位面積的性能在約2年內翻一番的「摩爾定律」不斷實現微細化。

如果沒有這種半導體技術創新，智慧手機等IT產品就不會誕生。如今，汽車、白色家電、機器人、工業機械等所有工業產品的進化均由半導體拉動。

目前最尖端的是臺積電和三星將量產的3納米半導體。與之相對，英特爾的最新技術是7納米。2010年代后半期，英特爾在生產技術的開發上落后，被甩在后面。

這樣的英特爾能否一躍實現20A、也就是2納米技術？答案是否定的。不容忽視的一點是，英特爾并沒有明確表示「20A」指電路線寬。

實際上，5納米、3納米等指標從約5年前開始與電路線寬的實際尺寸出現背離。目前還沒有關于應測量半導體電路的哪個位置的國際標準，臺積電和三星正在量產的3納米也只是「企業方面的說辭」（半導體設計公司高管）。

英特爾宣告「埃米時代的到來」，但沒有明確說明是長度單位。這只是一個營銷口號，目的是彰顯先進形象。

那么，現在的線寬指的是什么呢？通常是把單位面積的半導體元件數與過去的自身產品進行比較，根據元件增加了多少來計算。

雖然因為簡單易懂而經常被使用，但不能單純地用這個數值來進行性能比較。還需要關注實際的數據處理能力、數據存儲容量、省電性能、訂單量等。