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    投建 | 碳化硅頭部公司再建新的8英寸晶圓廠

    已有3478次閱讀2023-11-30標簽:

      2022年SiC功率半導體主要廠商的市場份額占比TOP5分別是意法半導體(36.5%)、英飛凌(17.9%)、Wolfspeed(16.3%)、安森美(11.6%)、羅姆(8.1%),其他廠商僅占9.6%。

      據UsineNouvelle報道,意法半導體繼與美商格羅方德在法國東南部Crolles的75億歐元(約588億人民幣)晶圓廠計劃后,為平衡集團在意法兩國布署,將于意大利西西里島Catane投資50億歐元(約392億人民幣),新建一座碳化硅(SiC)超級半導體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產SiC芯片,為電動車關鍵技術并具強大成長潛力。

      近年來,8英寸碳化硅量產成為一個熱點話題,因為襯底尺寸越大,單位襯底可制造的芯片數量越多,單位芯片成本就越低。相比6英寸襯底,同等條件下從8英寸襯底切出的合格芯片數會增加近90%。相比6英寸襯底,8英寸單片襯底制備的器件成本降低30%左右。為此,世界各地的芯片制造商都高度關注碳化硅襯底尺寸的轉變。隨著技術的不斷進步和市場的不斷擴大,8英寸碳化硅的應用需求越來越廣。

      報道稱,意法半導體為維持其競爭力,擬自2024年起轉型升級至8英寸晶圓,并結合Soitec的SmartSiC技術,以提高效能,同時減少碳排放。同時,該公司積極提升產能、掌握內部制造并與中國廠商三安光電合作,以期將SiC芯片相關營收由今年預期的12億美元(約85億人民幣)在2030年前提升至50億美元(約356億人民幣)。

      今年6月,意法半導體和三安光電共同宣布,雙方已簽署協議,將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠,投資總額預計達32億美元(約228億人民幣)。三安光電表示將利用自研SiC襯底工藝,單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,以滿足上述合資廠的襯底需求,這有助于合作方意法半導體加速向8英寸進軍。

      8英寸碳化硅量產對功率半導體產業的發展具有重要意義。首先,隨著半導體技術的不斷進步和應用領域的不斷擴大,半導體芯片對于高性能、高效率和低成本的需求越來越高;其次,隨著全球能源結構的轉變和新能源汽車的快速發展,對于高效能、高可靠性、低成本的功率半導體器件的需求也越來越大。8英寸碳化硅作為一種優異的功率半導體材料,可以更好地滿足這些需求。

      事實上,國際半導體巨頭英飛凌、安森美等也都在積極搶食市場大蛋糕。其中,英飛凌已經在工廠制備了第一批8英寸晶圓工程樣品,很快將它們轉化為電子樣品,并計劃在2030年之前大規模量產應用,安森美、羅姆等國際器件大廠都制定了8英寸SiC晶圓的發展規劃。

      意法半導體此次在意大利投資建廠,不僅能夠平衡集團在意法兩國布署,也有助于穩固自身在SiC功率器件領域的優勢。
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