全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢調查顯示，第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%，NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%。展望2024年第一季，預估整體存儲器的漲勢將延續，其中Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）合約價仍會續漲，漲幅則視后續原廠是否維持保守的投產策略，以及終端是否有實質買氣支撐而定。

經歷過“寒冬”的存儲器市場正在逐漸釋放暖意，除了漲價之外，業界預估以下因素也將持續推動存儲器市場轉好。

AI推動手機內存容量提升

據外媒 Wccftech 報道，2024 年流行趨勢之一是終端 AI，現內建于多款芯片組，如 Snapdragon 8 Gen 3、天璣 9300 和 Exynos 2400。有AI功能的智能手機需要更多內存，內建AI功能的Android手機內存容量至少將達到20GB RAM。

8GB RAM 雖仍是 Android 智能手機標準，但市場上已經出現比多數筆電或 PC更高內存的手機，雖還沒成為標配。業界指出，為了讓將來設備 AI 影像功能順利執行，Android 手機需要至少 12GB RAM，加上 AI 應用及其他功能，手機需要超過20GB RAM才能流暢運作。

考慮到多家 Android 手機商正持續投資 AI，2024 年AI將成為設備重點。因此，業界認為RAM 要求更高后，硬件規格對現代AI設備來說比以往都更重要。
 

DDR5市場需求將明顯成長

業界認為，隨著DDR5價格向下，原廠良率不斷提升，未來DDR5市場需求將明顯成長。

DDR5作為高附加值DRAM芯片，正持續受到大廠青睞。今年10月美光科技宣布推出基于1β技術的DDR5內存，速率高達 7200 MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場的所有客戶出貨。近期，美光又帶來了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 內存，該系列內存具有高達 8000 MT/s 的速度，適用于服務器和工作站平臺。該款芯片同樣采用美光的1β 技術，能源效率提高達24%，延遲降低高達16%。此外，美光計劃2024年開始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號，未來將推出 8000 MT/s 的型號。

三星方面，據業內人士透露，三星內部正在考慮擴大DDR5生產線。鑒于DDR5的高價值及其在PC和服務器市場的采用，今年基本上被視為“DDR5的大規模采用年”。
 

HBM供給情況將大幅改善

與DDR5一樣，HBM作為高附加值DRAM芯片，今年也受到市場極大關注。AI大勢之下，HBM市場需求高漲，而原廠產能供不應求，HBM擴產潮開啟。

展望2024年，基于各原廠積極擴產的策略，HBM供需比（Sufficiency Ratio）有望獲改善，預估將從2023年的-2.4%，轉為0.6%。

隨著AI熱潮帶動AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠也紛紛加大HBM產能，展望2024年，HBM供給情況可望大幅改善。而以規格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產品的情形下，2024年HBM營收可望有顯著的成長。