11月21日消息，據(jù)企查查顯示，近日，華為技術(shù)有限公司、哈爾濱工業(yè)大學(xué)申請的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。
該專利已在2023年10月27日申請公布。這項(xiàng)專利的發(fā)明無疑為芯片制造技術(shù)領(lǐng)域帶來了一場革命性的變革，為未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)打開了新的可能。
據(jù)悉，這項(xiàng)新發(fā)明涉及芯片制造技術(shù)領(lǐng)域。其工作流程包括：制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進(jìn)行等離子體活化處理；將經(jīng)等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機(jī)酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對準(zhǔn)貼合進(jìn)行預(yù)鍵合，得到預(yù)鍵合芯片；將預(yù)鍵合芯片進(jìn)行熱壓鍵合，退火處理，得到混合鍵合樣品對。
總的來說，這項(xiàng)專利的發(fā)明不僅突破了現(xiàn)有的芯片制造技術(shù)，更開啟了一種全新的、高效的、可靠的芯片制造方式。它不僅可以提高芯片的性能和可靠性，也可以降低芯片制造的成本，對于推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有極其重要的意義。同時，華為和哈爾濱工業(yè)大學(xué)的這項(xiàng)研究也展示了他們在芯片制造技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力和創(chuàng)新精神，無疑將為未來的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來更多的可能性。
這一創(chuàng)新的技術(shù)方法實(shí)現(xiàn)了使用Cu/SiO2混合鍵來連接不同材質(zhì)的硅與金剛石，實(shí)現(xiàn)三維異質(zhì)集成的效果。此發(fā)明有可能帶來未來芯片制造技術(shù)的重大突破。受此影響，培育鉆石概念漲幅已超16%。
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