11月21日消息，據企查查顯示，近日，華為技術有限公司、哈爾濱工業大學申請的“一種基于硅和金剛石的三維集成芯片的混合鍵合方法”專利公布。
該專利已在2023年10月27日申請公布。這項專利的發明無疑為芯片制造技術領域帶來了一場革命性的變革，為未來的半導體產業打開了新的可能。
據悉，這項新發明涉及芯片制造技術領域。其工作流程包括：制備硅基Cu/SiO2混合鍵合樣品和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品后進行等離子體活化處理；將經等離子體活化處理后Cu/SiO2混合鍵合樣品浸泡于有機酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品的待鍵合表面上滴加氫氟酸溶液，將硅基和金剛石基Cu/SiO2混合鍵合樣品對準貼合進行預鍵合，得到預鍵合芯片；將預鍵合芯片進行熱壓鍵合，退火處理，得到混合鍵合樣品對。
總的來說，這項專利的發明不僅突破了現有的芯片制造技術，更開啟了一種全新的、高效的、可靠的芯片制造方式。它不僅可以提高芯片的性能和可靠性，也可以降低芯片制造的成本，對于推動半導體產業的發展具有極其重要的意義。同時，華為和哈爾濱工業大學的這項研究也展示了他們在芯片制造技術領域的深厚實力和創新精神，無疑將為未來的半導體產業帶來更多的可能性。
這一創新的技術方法實現了使用Cu/SiO2混合鍵來連接不同材質的硅與金剛石，實現三維異質集成的效果。此發明有可能帶來未來芯片制造技術的重大突破。受此影響，培育鉆石概念漲幅已超16%。
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