根據《征求意見稿》，山東煙臺黃渤海新區將聚焦光電、功率、高端通用芯片三個主攻方向，重點支持自主研發的CPU、GPU等高端通用芯片和人工智能等專用芯片設計環節，以IGBT器件、高端MEMS、半導體傳感器等為代表的制造、封測環節以及半導體關鍵設備、先進材料全產業鏈條要素生產領域。

《征求意見稿》明確指出了七大項扶持舉措，具體包括支持產品研發流片、支持購買EDA軟件和IP、支持降低運營成本、支持規�；�發展、支持企業做優做強、支持企業開拓市場、支持人才引進和培養。

支持產品研發流片：對擁有自主知識產權產品開展多項目晶圓（MPW）流片的，按照不超過其MPW流片直接費用的70%補助，單個企業年度補助總額最高300萬元。對擁有自主知識產權產品開展首輪全掩膜工程流片的，按照不超過其首輪流片費用的50%補助，單個企業年度補助總額最高500萬元。補貼年限自首次享受起連續計算，總年限不超過3年。

支持購買EDA軟件和IP：半導體設計企業購買電子設計自動化（EDA）工具軟件的，按照不超過實際發生費用的30%補助，每家企業年度補貼總額最高300萬元。對企業購買非關聯企業知識產權（IP）開展高端芯片或特色工藝芯片研發的，按照不超過直接費用的50%補助，每家企業年度補貼總額最高300萬元。補貼年限自首次享受起連續計算，總年限不超過3年。

支持降低運營成本：對入駐煙臺光電傳感產業園、創新苗圃等雙創載體、特色園區的給予辦公用房不超過500平方米、生產用房不超過1500平方米的5年房租補貼，每戶企業最高補貼200萬元。其中：辦公用房300平方米以內，前3年補貼全額房租，后2年補貼50%；超過300平方米部分，前3年補貼房租的50%，后2年收取全價房租。生產用房前2年全額補貼，超出部分收取全價房租。企業（項目）建設萬級以上潔凈車間等研發生產用房的，按照不超過固定資產實際投資額（不含土地購買和廠房建設費用）30%給予補貼，每個企業補助總額不超過800萬元。

支持規�；�發展：年度營業收入首次突破5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設計企業，分別給予不超過50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元一次性獎勵。年度營業收入首次突破5億元、10億元、20億元的集成電路制造、封測等企業，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎勵。對年度營業收入首次突破1億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料等企業，分別給予不超過100萬元、300萬元、500萬元的一次性獎勵。同一企業若滿足多項條件，按照“就高不重復、晉級補差”原則給予獎勵。

支持企業做優做強：首次認定的省級、市級瞪羚企業，分別給予一次性獎勵50萬元、10萬元。首次認定的國家級專精特新“小巨人”企業，給予一次性獎勵200萬元。首次認定的省級、市級專精特新企業分別給予20萬元、5萬元獎勵。首次認定的省級獨角獸企業，按其上一年度區級地方經濟貢獻的30%給予一次性獎勵，最高600萬元。

支持企業開拓市場：在半導體芯片、器件、模組等新產品在信創、國防軍工產業等高新技術領域實現首次單筆訂單金額達到1000萬元以上的，經審核認定后按照不超過訂單實際發生金額的10%給予支持，最高不超過500萬元。鼓勵企業應用場景首試首用，對新開發的試制品和首次投向市場的新產品，財政性投資項目采購人依法采用單一來源采購方式開展采購活動。

支持人才引進和培養：鼓勵半導體企業招引產業相關專業畢業生來區就業，給予企業獎補，單個企業年度補貼總額最高20萬元。補貼年限自首次享受起連續計算，總年限不超過3年。鼓勵有條件的區內半導體企業與高校合作共建高端人才和技能型人才培養基地，經認定符合條件的培養基地項目，給予最高不超過200萬元一次性補助。