近期，三星電子旗下晶圓代工事業Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務。

據朝鮮日報報道，對于三星率先量產3nm（環繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺積電的言論，Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導體博覽會（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大客戶接洽，可能在未來幾年展現成果。

Jeong表示，GAA制程是一種可以延續到未來的技術，鰭式場效電晶體（FinFET）制程則無法更加精進，公司已在跟大客戶討論2nm、1.4nm等未來制程。

晶圓代工先進制程進展如何？
 

相較于成熟制程，先進制程更適用于追求高性能、低功耗的領域。隨著AI、高性能計算等新興技術的驅動下，先進制程需求持續增長，半導體巨頭們執迷追求新技術研發，芯片先進制程已從5nm、4nm、發展至3nm，未來還有可能到達2nm、1.4nm。

從當前大廠研發進度看，三星已量產第二代3nm芯片，并計劃2025年底前推出2nm制程、2027年底前推出1.4nm制程；

臺積電預計N3P將于2024年下半年投產，N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節點首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，相較于N3E ，該工藝在相同功耗下，速度最快將可增加至15% ；在相同速度下，功耗最多可降低30% ，同時芯片密度增加大于15% 。

英特爾正努力推進“四年五個制程節點”計劃，目前其Intel 7和Intel 4已實現大規模量產；Intel 3制程預計在今年下半年可進入準備量產階段，后續Intel 20A與18A制程則分別計劃于2024年上、下半年也進入準備量產階段。

此外，業界認為，可能在接下來的短期內，英特爾在先進制程晶圓代工領域會以Intel 3制程為主打，以應對臺積電、三星等業者的競爭。