其中，作為碳化硅突破瓶頸的重要工藝節(jié)點(diǎn)，8英寸SiC襯底成為各方搶攻的黃金賽道。

下一個(gè)拐點(diǎn)尺寸：8英寸SiC襯底

作為第三代半導(dǎo)體代表材料之一，碳化硅具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率等性能優(yōu)勢(shì)，在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異，已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的主要發(fā)展方向之一。

隨著下游需求的帶動(dòng)，碳化硅正處于高速增長(zhǎng)期，據(jù)TrendForce集邦咨詢分析2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%，并預(yù)估至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元。

從產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上看，SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測(cè)等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)~45%。業(yè)界認(rèn)為，為了降低單個(gè)器件的成本，進(jìn)一步擴(kuò)大SiC襯底尺寸，在單個(gè)襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢(shì)。

Wolfspeed數(shù)據(jù)顯示，從6英寸升級(jí)到8英寸，襯底的加工成本有所增加，但合格芯片產(chǎn)量可以增加 80%-90%；同時(shí)8英寸襯底厚度增加有助于在加工時(shí)保持幾何形狀、減少邊緣翹曲度，降低缺陷密度，從而提升良率，采用8英寸襯底可以將單位綜合成本降低50%。

目前碳化硅產(chǎn)業(yè)以6英寸為主流，占據(jù)近80%市場(chǎng)份額，8英寸則不到1％。8英寸的晶圓尺寸擴(kuò)展，是進(jìn)一步降低碳化硅器件成本的關(guān)鍵。若達(dá)到成熟階段，8英寸單片的售價(jià)約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產(chǎn)的晶粒數(shù)約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率顯著提高。

顯然，6英寸向8英寸擴(kuò)徑的行業(yè)趨勢(shì)明確，8英寸SiC襯底蘊(yùn)含著國(guó)內(nèi)廠商實(shí)現(xiàn)彎道超車(chē)的機(jī)遇，TrendForce集邦咨詢研究數(shù)據(jù)指出，目前8英寸的產(chǎn)品市占率不到2%，并預(yù)測(cè)2026年市場(chǎng)份額才會(huì)成長(zhǎng)到15%左右。