性能上，美光1β DDR5 DRAM提供速率從4800MT/s到7200MT/s的現有模塊密度，并采用先進的High-KCMOS器件工藝、四相時鐘和時鐘同步技術，相比上一代產品，性能提升高達50%，每瓦性能提升33%。

美光1β DDR5 DRAM支持計算能力向更高的性能擴展，能支持數據中心和客戶端平臺上的人工智能（AI）訓練和推理、生成式AI、數據分析和內存數據庫（IMDB）等應用。

此外，美光的1β技術已應用至公司廣泛的內存解決方案，包括采用16Gb、24Gb和32Gb DRAM裸片的DDR5 RDIMM和MCRDIMM；采用16Gb和24Gb DRAM裸片的LPDDR5X；HBM3E和GDDR7。

DRAM先進制程進展如何？

隨著多核CPU數量的增加，滿足下一代帶寬要求的壓力變得更大，因此需要更高的內存技術。目前，DRAM先進制程技術已發展至第五代，10nm級別，美光稱之為1β DRAM，三星等廠商稱之為1b DRAM。

去年，美光正式量產1β DRAM，相較上一代的1α（1-alpha）制程，美光最新的1-beta制程功耗降低約15%，位元密度提升超過35%，每顆晶粒容量可達16Gb。

1β是目前全球最先進的DRAM制程節點，隨著1β量產出貨，美光已經開始布局下一代技術研發。據悉，美光計劃于2025年量產1γ DRAM，該制程將會先在臺中有EUV的制造工廠量產。

三星方面，今年5月，三星量產12nm級16Gb DDR5 DRAM；9月，三星開發出基于12nm級工藝技術的32Gb DDR5 DRAM，將于今年年底開始量產。

三星計劃于2023年進入1bnm工藝階段，芯片容量將達到 24Gb（3GB）- 32Gb（4GB），原生速度將在6.4-7.2Gbp。三星透露，將于2026年推出DDR6內存，2027年即實現原生10Gbps的速度。

據披露，三星正在開發行業內領先的11nm級DRAM芯片。李政培表示，三星正在為DRAM開發3D堆疊結構和新材料。

SK海力士方面，今年1月，SK海力士將第四代10nm級（1a）DDR5服務器DRAM適用到英特爾®第四代至強®可擴展處理器（4th Gen Intel® Xeon® Scalable processors），并在業界首次獲得認證。

5月，SK海力士第5代10nm工藝1bnm已完成技術研發，采用“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。并計劃，明年上半年將把1b工藝擴大適用于LPDDR5T、HBM3E等高性能產品。