臺積電將于2025年在寶山工廠開始量產2nm工藝

關于產業龍頭臺積電，集邦科技將于2024年第二季開始在臺灣新竹科學園區寶山地區（新竹縣寶山鄉）的工廠安裝量產2納米（N2）制程的制造設備。). 計劃于2025年第四季度開始量產，月產量約為30,000片晶圓（300mm晶圓）。此外，新指定為2nm量產基地的高雄工廠，將于2026年（即N2開始量產一年后）開始量產HPC用背面供電技術的“N2P”。。順便說一句，與傳統技術相比，背面供電技術據稱可提高速度10%至12%，邏輯密度提高10%至15%。

臺積電似乎也計劃在臺灣北部（桃園）的龍潭科學園區建立一座2納米及以上的尖端半導體工廠（也許是為了增加2納米或1.4納米的產量？），但這一計劃遭到了來自臺灣的反對。當地居民。看來施工已經被放棄了。10月17日，臺灣多家媒體同時報道。新工廠原定建在臺灣政府科學園區管理局為科技園區第三期擴建而征用的土地上，但許多當地居民被要求離開，以便為工廠擴建讓路。由于遭到公眾強烈反對，這個想法不得不被放棄。細節尚未透露，但暫時計劃在兩家工廠量產2nm產品，放棄本次拿地不會影響公司2nm工藝產品的生產。

英特爾計劃在四年內實現五個技術節點

另一方面，英特爾正在從 FinFET 快速發展到基于環柵 (GAA) FET 的 MBCFET 和 BSPDN（背面供電網絡）技術。該公司制定了“四年內實現五個技術節點”的快速小型化目標，并計劃在2024年趕上并超越其他公司（見圖2）。英特爾計劃于2024年上半年開始生產采用基于GAA技術的RibbonFET晶體管架構的英特爾20A工藝，并宣布計劃將生產轉移到其衍生的英特爾18A工藝。

該公司目前正在其愛爾蘭工廠量產Intel 4工藝，但尚不清楚該公司是否擁有足夠的EUV曝光設備，該公司是否能夠按計劃維持其路線圖還有待觀察。此外，該公司計劃領先于其他公司推出針對2納米左右制程的高NA（NA=0.55）的EUV曝光設備，但高NA EUV曝光設備也已如期推出，目前尚不清楚。它將投入實際使用。

三星從3nm開始采用GAA將是未來的試金石

三星的代工業務先于其他公司采用了 3nm 工藝的 GAA 架構，但似乎正面臨良率低等問題。該公司計劃于2025年開始采用2nm工藝量產，并計劃于2027年開始采用1.4nm工藝量產。臺積電和英特爾計劃從2nm工藝開始采用GAA架構，但較早引入GAA的三星如果能利用其在2nm的經驗，將獲得先發優勢，提供比其他公司更高的良率并贏得市場。.還有可能提高你的地位。

此外，主要受到美國對中國半導體法規影響的中芯國際已暫停其小型化計劃。這是因為ASML的EUV光刻設備尚未可用，但他們似乎已經利用現有的ArF浸沒式光刻設備實現了使用多重圖案化的7nm工藝，并且也有傳言要達到5nm工藝。此外，日本Rapidus計劃在合作伙伴IBM和imec的合作下，于2027年底在日本開始量產2nm工藝，但未來的路線圖仍在進行中，直到2nm工藝推出為止。可見，因為它不可見。此外，臺積電和三星還制定了2027年將1.4納米作為尖端工藝應用于量產的路線圖。