又一國產(chǎn)公司首批8英寸SiC襯底下線！
已有4529次閱讀2023-10-18標簽:
在大尺寸材料愈加受到青睞之際，國產(chǎn)碳化硅SiC襯底企業(yè)開啟快速追趕國際廠商的模式，不斷在8英寸SiC襯底領(lǐng)域取得突破。截至目前，已有超10家國產(chǎn)企業(yè)研發(fā)出8英寸SiC襯底，并在此基礎(chǔ)上加快產(chǎn)業(yè)化的進程，包括爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體、湖南三安半導體等。其中，科友半導體今年以來在該領(lǐng)域進展較快，現(xiàn)已實現(xiàn)首批自研8英寸SiC襯底的成功下線。據(jù)了解，科友半導體于2022年10月在6英寸SiC晶體厚度上實現(xiàn)40mm的突破，后于12月份宣布，通過自主設(shè)計制造的電阻長晶爐產(chǎn)出直徑超過8英寸的SiC單晶，晶體表面光滑無缺陷，最大直徑超過204mm。2023年4月，科友8英寸SiC中試線在正式貫通后，同步推進晶體生長厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線建設(shè)，加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化，并在SiC襯底加工良率和面型參數(shù)上不斷取得新進展。2023年5月，科友宣布自研出兩種不同加熱方式的PVT法晶體生長爐，完成了國產(chǎn)自主1至4代感應(yīng)爐和1至3代電阻爐的研發(fā)，形成大尺寸低成本SiC產(chǎn)業(yè)化制備系列技術(shù)。在此基礎(chǔ)上，科友半導體實現(xiàn)了6英寸SiC單晶襯底的規(guī)模生產(chǎn)和批量供貨，8英寸SiC單晶襯底的小批量生產(chǎn)及供貨，自此開始向碳化硅晶體生長企業(yè)提供涵蓋設(shè)備、材料及技術(shù)服務(wù)等全產(chǎn)業(yè)鏈的解決方案。2023年9月，科友首批自產(chǎn)8英寸SiC襯底于科友產(chǎn)學研聚集區(qū)襯底加工車間成功下線，這標志著科友在8英寸SiC襯底加工，以及大尺寸襯底產(chǎn)業(yè)化方面邁出了堅實一步。除了加快大尺寸襯底制備技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)之外，科友目前也在積極推進SiC擴產(chǎn)項目的建設(shè)。目前，科友第三代半導體項目一期已實現(xiàn)量產(chǎn)，全部達產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬片6英寸SiC襯底的生產(chǎn)能力；二期工程也已開工建設(shè)，建成后將實現(xiàn)年產(chǎn)導電型SiC襯底15萬片。按照發(fā)展規(guī)劃，未來兩年將實現(xiàn)年產(chǎn)20-30萬片SiC襯底的產(chǎn)能。
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