近期，日本佳能公司宣布推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設備。
佳能表示，該設備采用不同于復雜光刻技術的方案，可以制造5nm芯片。而且經過改良，未來可用于生產2nm芯片。
據悉，佳能于2014年收購了MII公司，將其更名為Canon Nanotechnologies，從此正式進入納米壓印技術市場。
納米壓印技術，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術，最先由華裔科學家周郁（Stephen Chou）教授于1995年首次提出納米壓印概念。直到2003年，NIL作為一項微納加工技術，被納入國際半導體技術藍圖（ITRS）。該技術將設計并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術轉移到涂有高分子材料的硅基板上。
佳能介紹稱，傳統的光刻設備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，新產品則通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現這一點。由于其電路圖案轉移過程不經過光學機構，因此可以在晶圓上忠實地再現掩模上的精細電路圖案。
日媒報道，佳能目標是借NIL設備挑戰荷蘭光刻機龍頭ASML，后者是全球唯一一家可以生產EUV光刻機的廠商。
業界人士透露，與EUV光刻機相比，NIL技術可大幅減少耗能，并降低設備成本，這是NIL的優勢。不過，NIL目前仍需要克服一些技術瓶頸，比如在導入量產環節容易因空氣中的細微塵埃影響而行程瑕疵。
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