中國 上海－ 2012年10月23 日 －技術創(chuàng)新的射頻解決方案領導廠商TriQuint半導體公司和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化鎵技術中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint業(yè)內(nèi)領先的廣泛氮化鎵 (GaN) 產(chǎn)品系列——包括放大器、晶體管和開關。TriQuint GaN解決方案可提高射頻效率、降低總成本和增強系統(tǒng)堅固性。
    TriQuint自1999年起一直是氮化鎵研發(fā)領域的先驅者，并在2008年推出首批商業(yè)產(chǎn)品和發(fā)布了氮化鎵的代工。TriQuint通過廣泛的氮化鎵產(chǎn)品系列，和其出色的高頻0.25微米碳化硅襯底氮化鎵 (GaN on SiC) 代工服務，繼續(xù)保持其在高功率射頻半導體領域的領先地位。憑借其安全可靠的美國工廠在集成和封裝單個與多個晶粒方面的獨特能力的支持，TriQuint致力于提供世界級、從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、MMIC及封裝式解決方案。
    通過Richardson RFPD提供的TriQuint 氮化鎵產(chǎn)品包括放大器、晶體管和開關。TriQuint的氮化鎵產(chǎn)品提供無可比擬的HPA性能; 這些產(chǎn)品具有高功率密度、卓越的增益和效率等特點。另外它們還具有穩(wěn)健的工作、長脈沖能力以及高工作電壓的特點，從而幫助減小系統(tǒng)電流。TriQuint的氮化鎵產(chǎn)品提供55W至3.5GHz、40W至6GHz、20W至12GHz和10W至18GHz的功率，可滿足高功率要求，
    “TriQuint正在推動前沿的高頻/高功率氮化鎵研究工作。我們的內(nèi)部產(chǎn)品開發(fā)項目正在開發(fā)多種新商業(yè)產(chǎn)品。今天，我們推出了由TriQuint的高性能技術領先地位支持的氮化鎵產(chǎn)品”，TriQuint半導體公司中國區(qū)總經(jīng)理熊挺表示。
    “全球市場對氮化鎵技術的需求還在不斷增長，TriQuint是從直流到18 GHz的氮化鎵產(chǎn)品創(chuàng)新，包括分立晶體管、放大器和開關領域的領導者”，Richardson RFPD戰(zhàn)略營銷總監(jiān)David Silvius表示，“氮化鎵技術中心為工程師提供了與TriQuint氮化鎵有關的所有產(chǎn)品一站式服務的支持的單一定位，其中并包括利用Richardson RFPD的設計支持服務的能力。”
    其他氮化鎵技術中心的功能包括注冊接收電子郵件產(chǎn)品更新信息，另外還有技術演示視頻的鏈接，以及其他如白皮書與技術文章等資源。