英特爾將投資超200億美元在美建設兩家芯片工廠

英特爾9月30日表示，其計劃在美國俄亥俄州建設兩家新的尖端芯片工廠，投資額超200億美元（約合人民幣1460億元）。部分業界人士表示，英特爾此次巨額投資或是希望獲得美國半導體補貼資金。

英特爾此前表示，其目標是在2030年前成為世界第二大晶圓代工廠。近幾年，其展開了瘋狂的擴產研發路線，如“四年實現五個先進制程節點追逐”，又或是在2030年實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管，以及開展全球代工服務業務等。

公開消息顯示，英特爾目前在全球有10個制造廠，在現有的基地中，包括五個晶圓廠和四個裝配和測試設施。過去幾年，英特爾不斷在這些基地的基礎上進行擴產建廠。

今年，英特爾動態頻頻。9月29日，英特爾表示，其位于愛爾蘭價值185億美元的工廠已開始使用極紫外(EUV)光刻機進行大批量生產，并稱這是其尋求重新奪回競爭對手地位的“里程碑”時刻。9月20日，英特爾舉辦“ON技術創新峰會”，定位為AI PC的酷睿Ultra處理器、AI計算芯片Gaudi2和Gaudi3、第五代至強處理器、先進制程工藝以及先進封裝技術進展逐一公開亮相。8月28日，英特爾表示，將于明年推出的一款新數據中心芯片，每瓦特電能可處理的計算工作量將增加一倍以上，這是整個行業降低電力消耗努力的一部分。

格芯計劃投資80億美元，將德國德累斯頓芯片廠產能翻番

9月28日，格芯CEO Thomas Caulfield表示，格芯計劃投資80億美元，到本十年末將其位于德國德累斯頓的芯片制造廠的產能提高一倍。

Thomas Caulfield表示，正在尋求與其競爭對手臺積電同等水平的政府支持。

臺積電今年夏天批準了一個價值100億歐元(105億美元)的工廠建設，德國政府預計將為該工廠提供高達50億歐元的補貼。今年8月，格芯法務長艾薩（Saam Azar）在接受采訪時曾表示，臺積電規模比格芯大10多倍，現在打算與格芯的3個主要客戶在旁邊生產芯片，直接與格芯競爭，為此獲得巨額補貼，“這樣公平和恰當嗎？”其表示。

為加大全球競爭力，格芯近年也在加大擴產力度。據路透社報道，9月12日，格芯宣布其在新加坡投資40億美元擴建的制造廠正式啟用，進一步擴展全球產能。消息顯示，擴建后的晶圓廠每年將額外生產45萬片300毫米晶圓，將格芯新加坡的總產能提高到每年約150萬片300毫米晶圓。

此前2月，格芯宣布與半導體封測廠商安靠（Amkor Technology）結成戰略合作伙伴關系，共建葡萄牙大型封裝項目。根據公告，格芯計劃將其德累斯頓工廠的12英寸晶圓級封裝產線轉移到安靠位于葡萄牙波爾圖的工廠，以建立歐洲第一個大規模的后端設施。同時，格芯將保留其在波爾圖轉讓的工具、流程和IP的所有權。雙方還計劃在葡萄牙的未來發展工作中進行合作。

據TrendForce集邦咨詢表示，在2023年第二季度晶圓代工市場中，格芯（GlobalFoundries）以6.7%的市占率居位全球第三。從營收上看，第二季營收與第一季大致持平，環比增長僅0.2%，約18.5億美元，其中智能手機及車用領域等營收均有成長。

美光美國愛達荷州內存工廠開工，其日本工廠獲得約13億美元補貼

10月6日，美光在美國愛達荷州的新內存制造工廠正式開工建設。該工廠將與美光位于博伊西的研發中心位于同一地點。據悉，博伊西是美光公司總部、新擴建的卓越技術創新中心以及北美唯一的DRAM研發制造工廠的所在地。

新晶圓廠的潔凈室空間預計將從2025年開始分階段投入使用，美光表示，DRAM產量將在本世紀下半葉隨著行業需求的增長而不斷增加。最終，潔凈室空間將達到600,000平方英尺，竣工后將成為美國有史以來最大的單一潔凈室。

此外，10月3日，日本經濟產業大臣西村康稔表示，日本將為美光科技(MU-US)廣島工廠的存儲器芯片計劃，提供高達1920億日元（約13億美元）的財政支持，作為確保半導體穩定供應行動的一部分。

“補貼將幫助美光安裝荷蘭公司ASML的極紫外微影(EUV)設備，來制造先進的芯片，用于生成式人工智能(AI)、數據中心和自動駕駛上。”西村表示，日本這項支持計劃，涵蓋了美光在日本近40%的投資。

Soitec新工廠法國國內落成，計劃年產50萬片SmartSiC晶圓

法國創新半導體材料領先企業Soitec近日發表公告，其在法國格勒諾布爾附近的伯寧舉行了新工廠落成儀式。

此前2022年3月消息，Soitec宣布在法國伯寧總部建設Bernin 4新工廠，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圓。同年3月該工廠舉行了奠基儀式。

根據法國媒體的報道，該工廠投資額為3.8億歐元（約30億人民幣），其中30%由法國和歐洲援助承擔。根據公告，該工廠占地面積2500平方米，2028年全部達成后可年產50萬片，其中80%專用于SmartSiC晶圓，20%生產300mm SOI晶圓。

該公司表示，新工廠將專門生產電動汽車所需要的SmartSiC襯底，Soitec開發的SmartCut技術可使SiC器件電氣性能提高了15%-20%，襯底的消耗量減少了十分之一。具體而言，通過SmartSiC™技術的應用，每個SiC襯底可以使用10次。因此，SmartSiC™使電動汽車的續航里程超過500公里，而使用硅基IGBT的汽車平均續航里程為350公里，同時與單晶SiC襯底相比，晶圓制造過程中的二氧化碳排放量減少了70%。

Soitec 首席執行官Pierre Barnabé 表示：“我們比以往任何時候都更愿意將 SmartSiC技術建立為下一代電動汽車半導體材料的新標準。該工廠將使我們能夠滿足對碳化硅不斷增長的需求，并到2030年實現30%的市場份額，同時幫助提高電動汽車的效率和降低價格。”

現階段，Bernin 4新工廠主要生產6英寸SiC晶圓，計劃從2024年開始遷移到8英寸晶圓。新工廠的第一個測試樣品和資格認證將在2個月內開始發貨，計劃于2024年春末開始大批量交付。