GaN功率放大器模塊樣品

在400MHz寬頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)至少43%的功率附加效率，有助于降低基站功耗

圖1

5G Massive MIMO基站用GaN功率放大器模塊（MGFS48G38MB）

三菱電機集團近日（2023年9月14日）宣布，將于9月21日開始提供用于5G Massive MIMO*1（mMIMO）基站的新型氮化鎵（GaN）功率放大器模塊樣品。該功率放大器模塊有助于降低5G mMIMO基站的功耗。

提供高速、大容量通信的5G移動網(wǎng)絡(luò)在全球范圍內(nèi)受到廣泛關(guān)注，其5G mMIMO基站的鋪設(shè)主要在都市地區(qū)進行。由于這些基站采用多元件天線和相應(yīng)大規(guī)模的功率放大器，因此功率放大器模塊的高效化在降低這些基站的功耗和制造成本方面發(fā)揮著重要作用。此外，為了實現(xiàn)與多個國家網(wǎng)絡(luò)的兼容，還要求功率放大器模塊在寬頻率范圍內(nèi)提供符合3GPP標(biāo)準(zhǔn)的低失真特性*2。

三菱電機將開始為5G mMIMO基站提供GaN功率放大器模塊的樣品，該模塊可在3.4GHz至3.8GHz的寬頻段范圍內(nèi)提供8W（39 dBm）的平均輸出功率。值得關(guān)注的是，該產(chǎn)品具有43%以上的高功率附加效率，可適用于64T64R mMIMO天線*3。其中，高效率和低失真源于三菱電機的新型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT），寬帶特性利用了獨特的電路設(shè)計和高密度封裝技術(shù)。

產(chǎn)品特點

Product Features

400MHz頻段功率附加效率超過43%，降低了5G mMIMO基站的功耗

具有外延生長層結(jié)構(gòu)的GaN HEMT*4，使其在5G環(huán)境中也能提供高效率和低失真特性。

三菱電機獨特的寬帶Doherty電路*5設(shè)計，可以緩解GaN HEMTs輸出寄生電容帶來的帶寬限制，并有助于在400MHz頻段實現(xiàn)43%以上的功率附加效率，從而降低5G mMIMO基站的功耗。

功率放大器的模塊化，降低了5G mMIMO基站的電路設(shè)計負(fù)擔(dān)和制造成本

三菱電機獨特的高密度封裝技術(shù)，可以實現(xiàn)5G基站功率放大器不可或缺的基于Doherty電路的功率放大器模塊。

部署新的功率放大器模塊將減少5G mMIMO基站所需的組件數(shù)量，從而簡化電路設(shè)計并降低制造成本。

主要規(guī)格

Main Specifications

未來發(fā)展

Future Developments

三菱電機計劃擴大適用于32T32R天線和/或可在不同頻段運行的GaN功率放大器模塊產(chǎn)品系列，使其能夠部署在多個國家和地區(qū)，從而有助于進一步降低5G mMIMO基站的功耗。

*1：多輸入多輸出是一種提高通信速度和質(zhì)量的無線通信技術(shù)，MIMO在發(fā)送端和接收端都使用多個天線

*2：在5G移動網(wǎng)絡(luò)中，帶內(nèi)和帶外失真特性由第三代合作伙伴計劃(3GPP)規(guī)范

*3：64T64R是一種大型MIMO天線，由64個發(fā)射器/接收器組成。在mMIMO安裝中，有一個使用32個發(fā)射器/接收器的32T32R天線

*4：通過在結(jié)晶襯底上生長結(jié)晶薄膜而產(chǎn)生的薄膜晶體生長層

*5：大功率放大器的高效率電路技術(shù)由W.H. Doherty于1936年提出

*6：Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment