英飛凌宣布與深圳英飛源技術（Infypower）合作，其將為Infypower提供業界領先的1200 V CoolSiC™ MOSFET 功率半導體器件，以提高電動汽車充電站的效率。
據介紹，通過集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充電模塊提供寬廣的恒定功率范圍、高功率密度、最小的電磁輻射和干擾、高防護性能和高可靠性。
SiC的高功率密度有助于開發高性能、輕量化、緊湊型充電器，特別是超級充電站和超緊湊壁掛式直流充電站。與傳統的硅基解決方案相比，電動汽車充電站中的碳化硅技術可將效率提高1%，從而減少能源損失和運營成本。對于一個100kW 的充電站來說，這相當于節省1kWh 的電量，每年節省270歐元，減少碳排放3.5 噸。
根據TrendForce集邦咨詢分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。
與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。
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