英飛凌宣布與深圳英飛源技術(shù)（Infypower）合作，其將為Infypower提供業(yè)界領(lǐng)先的1200 V CoolSiC™ MOSFET 功率半導(dǎo)體器件，以提高電動(dòng)汽車充電站的效率。
據(jù)介紹，通過(guò)集成英飛凌的1200 V CoolSiC MOSFET，Infypower的30 kW直流充電模塊提供寬廣的恒定功率范圍、高功率密度、最小的電磁輻射和干擾、高防護(hù)性能和高可靠性。
SiC的高功率密度有助于開(kāi)發(fā)高性能、輕量化、緊湊型充電器，特別是超級(jí)充電站和超緊湊壁掛式直流充電站。與傳統(tǒng)的硅基解決方案相比，電動(dòng)汽車充電站中的碳化硅技術(shù)可將效率提高1%，從而減少能源損失和運(yùn)營(yíng)成本。對(duì)于一個(gè)100kW 的充電站來(lái)說(shuō)，這相當(dāng)于節(jié)省1kWh 的電量，每年節(jié)省270歐元，減少碳排放3.5 噸。
根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，將推動(dòng)2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。
與此同時(shí)，受惠于下游應(yīng)用市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模可望達(dá)53.3億美元，其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車及可再生能源。
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