SK海力士公司和三星電子公司相信，由于生成式人工智能的轟動，新的存儲芯片市場即將復興即將來臨，這正在加速定制、高性能下一代芯片的開發。

SK海力士DRAM營銷主管Park Myung-soo在一次發布會上表示：“人工智能服務器需要 500 GB 或更大的高帶寬內存 (HBM) 芯片以及至少 2 TB 的 DDR5 芯片。” 。

 “人工智能競爭是存儲芯片需求增長的強勁推動力。”  

SK海力士預測，AI芯片熱潮帶動HBM市場到2027年將達82%的復合年增長。   三星電子和其同城競爭對手的觀點，預計明年HBM市場將比今年增長一倍以上。

三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Hwang Sang-joon同日在KIW 2023上表示：“我們客戶當前的(HBM)訂單決定比去年增加了一倍多。”“無縫HBM生產、封裝和制造能力將比較。”

HBM 是一種高性能、高性能半導體，由于它被為生成型人工智能設備、高性能數據中心和機器學習平臺提供動力，因此其需求量正在激增。其需求預計將進一步增長，因為該需求將進一步

增長芯片與圖形處理單元（GPU）一起使用，以增強生成式人工智能的能力，例如ChatGPT，這是OpenAI開發的人工智能聊天機器人，被認為是下一個將統治世界的重大事物。這相當于韓國   

內存派對，也是全球排名靠前的廠商，都在 HBM 芯片上下了重注，該芯片垂直互連多個 DRAM 芯片，與傳統 DRAM 產品相比，可大幅提高數據處理速度。它們至少貴五倍。

市場追蹤機構TrendForce的數據顯示，SK海力士于2013年推出了全球HBM芯片，截至2022年，該公司在全球HBM市場中捐贈了50%的份額。三星電子緊隨其后，占40 %，其次是美光科技公司，占10%。

AI驅動的HBM芯片需求增長為高附加值、定制DRAM芯片創造了新的內存市場，包括內存處理（PIM）、計算快速隊列（CXL）和根據行業專家的說法，雙倍數據速率 5 (DDR5)。

“我們提前大約兩到三年開始討論（芯片開發）路線圖，”Park說。“這增加了鎖定效應。”為了在新市場保持對手領先，SK海力士和三星電子將全力開發下一代存儲芯片產品。

SK 海力士周一公布了計劃于 2026 年推出第六代 HBM HBM4。目前該公司正在向美國 GPU 廠商 Nvidia 公司供應 HBM3 芯片，上個月向美國無晶圓廠公司提供了 HBM3E 的樣品，即 HBM3的擴展版本。

它還計劃與制造公司合作生產HBM4。

其更大的競爭對手三星電子也將重點開發性能主內存DDR5和超大容量內存CXL，以及近內存HBM。“加速器PIM與CXL接口的集成將進一步擴大DRAM的使用，”Hwang說。

 “我們的客戶需要高性能 DRAM，而不是預算 DRAM，”他說。 

 

CXL DRAM是下一代接口，可以提高內存資源的有效分配，并且可以起到外部硬盤驅動器的作用。PIM是一種輔助CPU數據處理的DRAM。韓國董事總經理Na Seung -joo 預測，明年下半年英特爾下一代高性能 CPU（稱為 Granite Rapids）的發布將刺激 CXL DRAM 要求。

雖然下一代內存產品預計將打開一個新的 DRAM 市場，但內存廣泛市場預計將在今年晚些時候進入升級周期，部分原因是市場今年年初提出的晶圓裁剪工作。

Hwang表示，“內存芯片市場本應在2021年進入下行周期，但供應鏈導致我們的客戶囤積崩潰庫存”，這導致去年內存行業的庫存積壓導致內存行業但延遲嚴重的現象   。供應預計將在今年第三季度達到平衡，部分原因是產量減少，其需求預計第四季度開始增加。”英特爾韓國公司 Na 表示，英特爾第四代 CPU（稱為 SapphireRapids）針對整個 DRAM 的推出業界稱也是好兆頭。

他還補充說，英特爾在8月中旬出貨了100萬顆Sapphire Rapids，這對DDR5需求來說是一個福音。