自動駕駛系統等高安全級別的應用可通過冗余設計確保可靠性，因此與標準系統相比，它們集成了更多的器件，需要更多的表貼空間。所以，要進一步縮小汽車設備的尺寸，需要能夠在高電流密度下表貼的功率MOSFET。

XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用東芝的新型S-TOGL™封裝（7.0mm×8.44mm[1]），其特點是采用無接線柱結構，將源極連接件和外部引腳一體化。源級引腳的多針結構降低了封裝電阻。
 

與具有相同熱阻特性的東芝TO-220SM（W）封裝產品[2]相比，S-TOGL™封裝與東芝U-MOS IX-H工藝相結合，可實現導通電阻顯著降低11%。與TO-220SM（W）封裝相比，新型封裝還將所需的表貼面積減少了大約55%。此外，采用新型封裝的產品可提供200A漏極額定電流，高于東芝類似尺寸的DPAK＋封裝（6.5mm×9.5mm[1]）產品，從而實現了大電流。總體而言，S-TOGL™封裝可實現高密度和緊湊布局，縮小汽車設備的尺寸，并有助于實現高散熱。

由于汽車設備可能在極端溫度環境下工作，因此表面貼裝焊點的可靠性是一個關鍵考慮因素。S-TOGL™封裝采用鷗翼式引腳，可降低表貼應力，提高焊點的可靠性。

當需要并聯多個器件為應用提供更大工作電流時，東芝支持這兩款新產品按柵極閾值電壓分組出貨[3]。這樣可以確保設計使用同一組別的產品，從而減小特性偏差。

東芝將繼續擴展其功率半導體產品線，并通過用戶友好型、高性能功率器件為實現碳中和做出貢獻。

應用

● 汽車設備：逆變器、半導體繼電器、負載開關、電機驅動等

特性

● 新型S-TOGL™封裝：7.0mm×8.44mm（典型值）

● 高額定漏極電流：

XPJR6604PB：ID＝200A

XPJ1R004PB：ID＝160A

● AEC-Q101認證

● 提供IATF 16949/PPAP[4]

● 低導通電阻：

XPJR6604PB：RDS(ON)＝0.53mΩ（典型值）（VGS＝10V）

XPJ1R004PB：RDS(ON)＝0.8mΩ（典型值）（VGS＝10V）

主要規格