EUV光刻技術解決了傳統光刻技術在分辨率方面已經達到物理極限的限制。EUV光的較短波長使得在硅晶圓上創造更小的特征和更緊密的圖案成為可能，從而實現具有更高晶體管密度的先進微芯片制造。EUV光刻的關鍵組件是EUV光源，涉及產生和操控13.5納米高能光。這是通過使用激光從錫液滴中產生等離子體，從而發射EUV輻射來實現的。然后，EUV光通過一系列精密設計的鏡子反射和聚焦，將所需的圖案傳輸到涂有光敏材料（稱為光刻膠）的硅晶圓上。

EUV光刻相比以前的光刻技術具有幾個優勢。首先，它允許芯片密度顯著增加，實現更強大和復雜的集成電路。其次，通過減少圖案傳輸所需的步驟，簡化了制造過程，提高了生產效率。最后，EUV光刻使得對關鍵尺寸的控制更好，減少了圖案的變異性，從而提高了芯片性能和產量。EUV光刻在高性能計算、人工智能和移動設備等各種應用中對先進集成電路的生產起著至關重要的作用。

在預測期內，晶圓代工廠將以最高復合年增長率增長。

在商業領域，晶圓代工廠是一種專門的制造設施，為半導體公司和集成器件制造商（IDM）提供半導體制造服務。晶圓代工廠主要專注于半導體行業的制造工藝，不參與芯片設計。晶圓代工廠通過為芯片設計（稱為知識產權）提供制造服務與fabless公司和IDM合作。提供半導體制造服務，包括EUV光刻，的重要代工廠包括臺灣積體電路制造股份有限公司、全球閃存公司、三星代工廠等。晶圓代工廠的增長可以歸因于它們在EUV光刻方面的重要投資，亞太地區國家在EUV光刻市場的擴展和發展中起著重要作用。

預測期內，EUV掩膜（EUV Mask）市場預計以第二高的復合年增長率增長。

EUV掩膜，也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜，對于極紫外光刻（EUVL）這種先進光刻技術至關重要。EUV光刻是一種先進技術，用于制造具有更小特征尺寸和增強性能的下一代半導體器件。EUV掩膜在半導體晶圓上集成電路的圖案制定中起著重要作用，其中包含了在光刻過程中投影到晶圓上的電路圖案。與舊有光刻技術使用的傳統光學掩膜不同，EUV掩膜專門設計

用于與波長約為13.5納米的紫外光一起使用。它們由薄基底涂覆多層反射材料制成，這些材料有助于將EUV光反射和聚焦到晶圓上，實現精密的高分辨率圖案。EUV掩膜的復雜制造過程涉及先進的制造技術和嚴格的質量控制措施，以確保電路圖案的準確性和可靠性。許多公司涉足EUV掩膜和相關產品的制造，包括Toppan公司、KLA Corporation、ADVANTEST CORPORATION、AGC公司等。

亞太地區預計以最高復合年增長率增長。

亞太地區在EUV光刻領域具有重要意義。在考察該地區的EUV光刻市場時，中國大陸、日本、臺灣和韓國等地區處于前沿。臺灣在亞太地區占據最高的市場份額。