數字儲能網訊：2017版國標《電化學儲能電站用鋰離子電池管理系統技術規范》（GB/T 34131-2017）（以下簡稱“舊國標”）已完成修訂，2023版國標《電力儲能用電池管理系統》（GB/T 34131-2023）（以下簡稱“新國標”）近期已正式發布，將于今年10月1日正式實施。

BMS新舊國標對電流、電壓、溫度的采集誤差和采樣周期的對比（圖：來源中國儲能網）

針對BMS新國標政策，思開半導體新推出了一款60V、超低內阻的TOLL封裝產品—— SS015N06LS，下面來了解一下這顆超新星產品的基本參數吧！

思開半導體的SS015N06LS是一款漏源擊穿電壓 60V 的N溝道 MOS，采用 TOLL 封裝，VGS 耐壓 ±20V，Vth 為3V，漏極電流最高 340A，VGS 為 10V時導通電阻RDS(on)典型值為 1.3mΩ，適用于DC-DC、BMS、汽車啟動電源等大功率應用。

思開半導體的SS015N06LS已經成為BMS儲能市場MOS管的爆款產品，并且已經開始大批量出貨， 目前月出貨量達到1kkpcs。下面來一起看看SS015N06LS具體有哪些成功案例吧！

針對BMS儲能市場，思開半導體的高功率、大電流、低內阻的TOLL產品采用先進的SGT工藝以及先進的封裝，產品具有極低的導通內阻和極低的柵電荷，以及增強的EAS能力，有效降低電池的溫升、提高電池的可靠性。

思開半導體TOLL系列產品有著非常豐富的產品品類，可以滿足不同的客戶需求。但思開半導體將持續加強研發投入，打磨更多、更有競爭力的新產品，并同客戶保持緊密的技術交流和溝通，及時洞悉市場變化和客戶需求，以滿足更多樣化的市場需求。

儲能技術發展迅速，相關規程規范也在加緊新編或修訂以適應儲能的快速發展需要，為行業的健康長遠發展“精準指向”。思開半導體將持續致力于開發性能更優的BMS芯片，促進能源加速轉型，共建綠色美好未來。