晶圓制備包含了襯底制備和外延工藝兩大環節，外延是指在單晶襯底上生長一層新單晶的過程。外延工藝可能受到各種條件因素影響出現厚度不均的情況，如襯底溫度、反應腔氣壓、反應生長物及晶圓片表面清洗過程等。如果外延厚度不均位于晶圓片表面制作晶體管器件的有源區域，將導致器件失效。所以晶圓在通過外延工藝制備后，使用膜厚測量設備對外延的厚度均勻性進行測量尤為重要。

GS-A12X使用了行走軸雙臂潔凈機械手，同時測量單元使用全新設計的Stage平臺，可選擇吸附或者夾持方式，更大程度上兼容客戶應用場景，雙臂機械手和Stage的配合，使得GS-A12X測量效率提高至少30%；氣浮平臺的設計應用減少了震動對于測量的影響，使得測量數據更加穩定；GS-A12X設備整體使用模塊化設計，減少了開發周期，提高了裝配效率，縮短了設備的維護時間，定制化設計讓GS-A12X更懂客戶。

該設備基于FTIR紅外光譜技術，可以在線監測晶圓外延制造過程中的實時數據，并提供高精度的測試結果。其主要特點包括以下方面：

高效快速：采用快速掃描技術，能夠在短時間內獲得高精度的測試數據，提高生產效率；

非侵入式檢測：采用紅外光譜技術，不會對晶圓造成任何損傷和影響，保證測試數據真實可靠；

可靠性高：采用優質材料和先進技術，保證設備穩定性和可靠性；

數據分析：設備自帶數據分析軟件，可以實現數據可視化，幫助用戶更好地理解晶圓的性能和特性；

定制化功能開發：針對客戶應用的痛點定制開發，讓系統更懂客戶。
 

Online在線技術

本次交付的設備增加了Online在線技術。該設備遵循SEMI標準協議，可無縫連接客戶OHT/MES等系統。同時，設備實現檢測自動化控制，具備智能化控制和自動化運行功能，降低人力成本，提高生產效率。
 

大尺寸晶圓檢測技術

相比6、8寸晶圓量測設備，12寸晶圓量測設備在自動化、通訊、算法等多個方面都需要更高的技術支持，全新推出的GS-A12X設備打破專業壁壘，使用更先進的檢測技術，滿足晶圓廠對12寸大尺寸晶圓的檢測需求，幫助晶圓廠降本增效。

近年來，國家層面始終堅定地強調集成電路產業的重要性和產業鏈自主可控的必要性，并從政策和市場兩方面推動行業發展，半導體產業本土化已成為趨勢。蓋澤半導體專注于半導體前道量測設備的研發及應用，賦能中國半導體行業智能制造。