CVD設備需求提升

薄膜沉積分為物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）兩大類，前者使用物理的方法（如蒸發、濺射等）使鍍膜材料汽化，在基體表面沉積成膜，后者則利用氣態或蒸汽態的物質在氣相或氣固界面上發生反應生成固態沉積物。

當前SiC薄膜生長主要是以CVD為主，包括分子束外延、磁控濺射和脈沖激光淀積等,CVD的優勢在于可以精確控制外延膜厚度和摻雜濃度、缺陷較少、生長速度適中、過程可自動控制等優點，是目前已經成功商業化的 SiC外延技術。

評價一款碳化硅CVD的核心指標，主要從外延生長性能（厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長速率），設備本身溫度性能（升溫/降溫速率、最高溫度、溫度均勻性），和設備性價比三個方面進行評判。

從整個半導體行業來看，當前國內CVD的國產化率還處于較低水平， 從整個半導體市場來看，美國的應用材料（Applied Materials）、泛林（Lam Research）和日本的東京電子（TEL）是全球CVD的主要供應商。

而在碳化硅領域，僅考慮外延環節，CVD設備的主要供應商為德國的Aixtron、意大利的LPE、日本的東京電子（TEL）和Nuflare。

且根據相關信息，6英寸外延設備集中在意大利的LPE和日本的NuFlare，而NuFlare主要是供給Wolfspeed和II-VI（更名為Coherent），且數量僅為十余臺每年，其在中國出售已經排至 2023下半年，每臺設計產能為 1800 片/月。日本東京電子（TEL）的設備主要采用雙腔體，對提高產量有一定的作用，但因價格和技術IP等問題，較少出現在國內市場中。

今年2月，晶盛機電發布了6英寸雙片式SiC外延設備，該設備通過對反應室石墨件的改造，采用上下層疊加的方式，單爐可以生長兩片外延片，且上下層工藝氣體可以單獨調控，溫差≤5℃，有效彌補了單片水平式外延爐產能不足的劣勢。

5月，粵升公司宣布其自主研發的4/6英寸SiC外延設備，已無故障連續穩定運行近300小時，生長的4/6英寸SiC外延片質量均達到國際先進水平，滿足MOSFET和SBD器件的制備要求。

同月，“長城控股招標中心”發文稱，其已啟動“精工自動化碳化硅外延廠房改造設計項目”，目前正在進行招標工作。

此外，鹽城市鹽都區人民政府報道提到，漢印機電2022年投資了10億元，啟動漢印半導體裝備項目，新上40臺（套）第三代半導體碳外延設備，可年產20萬片碳化硅外延片。