大約一年前，三星正式開始采用其 SF3E（3nm 級、早期全柵）工藝技術大批量生產芯片，但沒有無晶圓廠芯片設計商證實其產品使用了該節點。但 TechInsights 最近發現 ，比特微的 Whatsminer M56S++加密礦機使用的專用集成電路 (ASIC)，確實是采用三星 SF3E 工藝制造的。

用于挖掘加密貨幣的 ASIC 往往是晶體管數量相對較少的小型設備，具有類似的重復邏輯結構和最少數量的 SRAM 位單元。這通常使得此類芯片，尤其是 Whatsminer M56S++，由于其生產簡單性，非常適合用作最先進制造技術的pipe cleaners。對于 Samsung Foundry 來說，將其 SF3E 用于加密貨幣挖掘 ASIC 等芯片是非常有意義的。

不幸的是，我們對Whatsminer M56S++ ASIC了解不多，只知道基于該芯片的MictoBT礦機具有240-256 Th/s算力和22J/T能效。

此外，我們目前也尚不清楚三星的 SF3E 目前是否用于加密貨幣挖礦芯片以外的應用。但三星官方表示，它使用最新的工藝節點生產產品。

三星在之前發布財務報表中寫道：“我們正在批量生產第一代 3 納米工藝，產量穩定，并且基于這一經驗，我們正在開發第二代工藝，以確保更大的批量生產能力。”

與三星第二代 5nm 級技術（SF5、5LPP）相比，  SF3E  （又名 3GAE）有望在保持相同復雜性和頻率的同時將芯片功耗降低多達 45%，或者在類似的情況下將性能提高 23%。晶體管數量和時鐘。此外，它還可以將集成電路（IC）占用的面積減少16%。該公司最近詳細介紹了名為SF3的第二代 3nm 級工藝 。

目前，只有兩家代工廠為其客戶提供 3 納米和 4 納米級工藝技術：臺積電和三星代工廠。但商業媒體有時會將前沿節點的良率歸咎于三星代工，但這一點無法得到證實。但最近的一系列報告稱，三星現在正在向商業客戶交付首款基于 GAAFET 的 3 nm 芯片，并且三星 3 nm 和 4 nm 級節點的良率總體狀況良好。

三星代工的4納米級工藝技術良率現已高于75%。相比之下，據Kmib.co.kr報道，根據 DGB 金融集團成員 Hi Investment & Securities 的報告估計，SF3E（3nm 級、早期全柵）芯片的良率現已超過 60%  。同一份報告稱，臺積電 N4 節點的良率接近 80%，但同樣，這是研究人員的估計。

一般來說，有關代工廠良率的信息無法得到驗證，因為合同晶圓廠幾乎從不公開談論良率。他們有時會公開披露與以前的節點相比的缺陷密度，但三星代工的 SF4E、SF4、SF4P 和 SF3E 的情況卻并非如此。

三星代工官方只表示其SF3E工藝技術已經量產，良率穩定（可能是為了回應去年年底有媒體報道SF在SF3E上良率不穩定的報道），下一代的工藝的開發正在進行中。

三星在一份聲明中寫道：“我們正在批量生產第一代 3nm 工藝，產量穩定，并且基于這一經驗，我們正在開發第二代工藝，以確保更大的批量生產能力。”

基于上文提到的礦機芯片，我們能間接證實三星 5 納米和 7 納米級制造工藝的良率正在提高。據DigiTimes 報道 ，三星代工廠 5 納米生產線的利用率已增至 80%，5 納米和 7 納米工廠的綜合利用率近期已從 2022 年的 60% 攀升至 90%。再次強調，該信息來自非官方來源。

通常，無晶圓廠芯片設計人員不傾向于使用高缺陷密度的節點，因此如果5納米級（三星的SF4源自SF5）的利用率變高，這可能表明它們現在被三星客戶更密集地使用。或者，這可能表明三星代工廠的客戶迫切希望提高產量，盡管由于需求高而導致產量較低。然而，考慮到當前的市場狀況，情況可能并非如此。