英飛凌與天科合達、天岳先進宣布“牽手”合作，兩家國內廠商將為英飛凌供應6英寸SiC材料；

三安光電和意法半導體共同宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC襯底廠，據意法半導體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導體實現50億美元的SiC營收；

 
中電化合物也宣布與韓國Power Master簽訂了長期供應8英寸在內的碳化硅材料的協議，公司預計未來3年碳化硅產能將達到8萬片。

此外，天岳先進近日公布了其8英寸碳化硅襯底最新技術、晶盛機電表示已成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備、合盛硅業披露其8英寸碳化硅襯底已經實現了量產、廣東芯粵能半導體表示今年年底前完成月產一萬片6英寸碳化硅晶圓芯片的產能建設...
 

頭部企業率先打入國際供應鏈

碳化硅市場的競爭已席卷全球，而中國龐大的市場是兵家必爭之地。近幾年，隨著光伏、新能源汽車的發展，中國在整個新能源產業中占據著舉足輕重的地位。而近期宣布的幾大合作案例也印證了國內碳化硅企業正逐步得到國際客戶的認可。
 

01、三安光電x意法半導體
 

6月7日，三安光電和意法半導體宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC襯底廠，根據意法半導體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導體實現50億美元的SiC營收，作為對比，2022財年，Wolfspeed的營收為7.462億美元，同比增長42%。
 

據了解，該合資項目公司將由三安光電控股，暫定名為“三安意法半導體(重慶)有限公司”，其中由三安光電全資子公司湖南三安持股51%，意法半導體（中國）投資有限公司持股49%。項目預計投資總額達32億美元，計劃于2025年第四季度開始生產，預計將于2028年全面落成，屆時將采用意法半導體的碳化硅專利制造工藝技術，達產后可生產8英寸碳化硅晶圓1萬片/周。三安光電獨資在重慶設立8英寸碳化硅襯底工廠計劃投資約70億元，將利用自有的碳化硅襯底工藝單獨建立和運營，以滿足合資工廠的襯底需求，并與其簽訂長期供應協議。
 

02、英飛凌與天科合達、天岳先進
 

無獨有偶，英飛凌與天科合達、天岳先進在今年5月宣布合作，兩家國內廠商將為英飛凌供應6英寸SiC材料。
 

北京天科合達的“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地”上榜《北京市2022年重點工程計劃》，其產業化基地建設（二期）項目位列《北京市2023年重點工程計劃》新建項目名單，為擴產項目。據其官方消息，第三代半導體碳化硅襯底產業化基地項目位于大興區，總投資約9.5億元，新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線，建成后可年產碳化硅襯底12萬片。
 

近期，天科合達宣布將為英飛凌供應用于生產SiC半導體的6英寸碳化硅材料，其供應量占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數份額，并助力英飛凌向200毫米（8英寸）直徑晶圓的過渡。
 

上海天岳半導體產業基地于2021年8月在上海臨港開工，該項目建設單位上海天岳半導體材料有限公司為山東天岳先進的全資子公司。此前公開消息顯示，上海天岳建設“碳化硅半導體材料項目”總投資25億元，在達產年，形成年產導電型碳化硅晶錠2.6萬塊，對應襯底產品30萬片的生產能力。
 

今年5月初，天岳先進與英飛凌簽訂了一項新的襯底和晶棒供應協議。根據協議，天岳先進將為英飛凌供應用于制造碳化硅半導體的高質量并且有競爭力的6英寸碳化硅襯底和晶棒，第一階段將側重于6英寸碳化硅材料，但天岳先進也將助力英飛凌向8英寸直徑碳化硅晶圓過渡。、
 

03、中電化合物與Power Master
 

近日，中電化合物也宣布與韓國Power Master簽訂了長期供應8英寸在內的碳化硅材料的協議，公司預計未來3年碳化硅產能將達到8萬片。

公開資料顯示，中電化合物成立于2019年，是由中國電子信息產業集團有限公司（央企）旗下華大半導體有限公司主導投資的一家致力于開發、生產寬禁帶半導體材料的高科技企業。公司已在杭州灣新區數字經濟產業園建成含百級超凈車間現材料生產線，正式向國內外市場供應商業化SiC和GaN材料，產品通過了車規級的驗證。此前，中電化合物半導體表示其擴產項目計劃于今年9月完成廠房裝修并投產。
 

破局：邁向8英寸時代

據全球半導體觀察統計，今年上半年國內已有50多個SiC相關項目取得新進展，包括簽約落地、新建擴產等�？傮w來看，我國碳化硅產線的建設方面以面向新能源汽領域為主，其中約八成以6英寸為主力。
 

但值得注意的是，我國已有部分頭部企業開始搶入到8英寸建設中。近日，天岳先進公布了其8英寸碳化硅襯底最新技術，晶盛機電也于近日表示其成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，盛美上海并今年上半年宣布首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單，該設備兼容6英寸和8英寸，合盛硅業披露其8英寸碳化硅襯底已經實現了量產。
 

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕表示：“目前碳化硅產業以6英寸為主流，占據近80%市場份額，8英寸則不到1％。8英寸的晶圓尺寸擴展，是進一步降低碳化硅器件成本的關鍵。”
 

根據TrendForce集邦咨詢此前的調研顯示，若達到成熟階段，8英寸單片的售價約為6英寸的1.5倍，且8英寸能夠生產的晶粒數約為6英寸SiC晶圓的1.8倍，晶圓利用率顯著提高。

此前對國內主流SiC企業的8英寸襯底進度進行了統計，目前國內有10家企業和機構在研發8英寸襯底，包含爍科晶體、晶盛機電、天岳先進、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學、天科合達、科友半導體、乾晶半導體等。其中爍科晶體、天科合達以及晶盛機電相對來說進度比較快。
 

而從國外情況看，Wolfspeed、ROHM、英飛凌、ST等國際碳化硅大廠已經紛紛邁入8英寸，這些廠商的量產節點也紛紛提前到今年。值得一提的是，前文所述意法和三安光電的合作主要集中在8英寸，英飛凌與兩家國產SiC企業簽訂長約也表明未來將向8英寸進發。這有助于我國在碳化硅進展上加速趕上國際步伐。
 

8英寸是國內外廠家都想迅速攻下的堡壘，但良率問題始終是一座跨不過的大山。龔瑞驕表示：“目前6英寸SiC襯底國內的良率大概有40%，海外大概60~70%，在8英寸方面，近年來國際大廠積極推進8英寸產線建設，現階段僅Wolfspeed一家步入量產，且實際進展并不如預期。”

總體來看，提升良率是降低成本的關鍵，同時也是SiC繼續大規模鋪開的關鍵。提升良率一方面依賴技術創新與技術沉淀，另一方面，在擴大產能之下，可以通過學習曲線和規模優勢，達到快速降低平均成本的目的。所以目前各大SiC企業積極擴產，一方面可以擴大市場份額，另一方面也可以提升良率，從而將價格下探。