通過(guò)降低內(nèi)部電感和搭載SiC芯片

為工業(yè)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻(xiàn)

工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2023年6月13日）宣布，將于6月14日開始提供工業(yè)設(shè)備用NX封裝全SiC功率半導(dǎo)體模塊的樣品。該模塊降低了內(nèi)部電感，并集成了第二代SiC芯片，有望幫助實(shí)現(xiàn)更高效、更小型、更輕量的工業(yè)設(shè)備。

為降低全球社會(huì)范圍內(nèi)的碳排放，功率半導(dǎo)體器件正越來(lái)越多地被用于高效電力變換場(chǎng)合。其中，對(duì)于能夠顯著降低功率損耗的SiC功率半導(dǎo)體的期望越來(lái)越高。大功率、高效率功率半導(dǎo)體能夠提高工業(yè)設(shè)備（逆變器等部件）的功率轉(zhuǎn)換效率，其需求正在不斷擴(kuò)大。

三菱電機(jī)于2010年開始推出搭載SiC芯片的功率半導(dǎo)體模塊。此次，新模塊采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有的Si IGBT模塊相比，內(nèi)部雜散電感減少約47%^*1，并顯著降低了功率損耗。

該SiC產(chǎn)品的開發(fā)得到了日本新能源·產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的部分支持。

產(chǎn) 品 特 點(diǎn)

優(yōu)化的內(nèi)部結(jié)構(gòu)并采用SiC芯片，有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化

內(nèi)部連接采用優(yōu)化的疊層結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了9nH的內(nèi)部雜散電感，比現(xiàn)有IGBT模塊降低約47%；

通過(guò)降低內(nèi)部雜散電感，抑制設(shè)備的浪涌電壓，實(shí)現(xiàn)高速開關(guān)的同時(shí)降低開關(guān)損耗；

采用 JFET摻雜技術(shù)^*2的第二代SiC芯片具有低損耗特性，與現(xiàn)有Si IGBT模塊相比，功率損耗降低約72%^*1，有助于提高設(shè)備效率；

低的功率損耗有助于減少熱量的產(chǎn)生，從而允許使用更小、重量更輕的散熱器。

兼容的NX型封裝，Si模塊和SiC模塊可以輕松替換

在搭載SiC芯片的同時(shí)，在外形尺寸和管腳配置等方面維持了NX型封裝的兼容性，便于輕松替換，有助于縮短新設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)間。

未 來(lái) 發(fā) 展

三菱電機(jī)將繼續(xù)擴(kuò)大其功率半導(dǎo)體模塊產(chǎn)品線，進(jìn)一步為工業(yè)設(shè)備的高效率、小型化、輕量化做出貢獻(xiàn)。

主 要 規(guī) 格

*1：基于三菱電機(jī)確定的測(cè)量條件，與1700V/600A NX-type Si IGBT Module T-series (CM600DX-34T)對(duì)比得出

*2：JFET (Junction Field Effect Transistor)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

*3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

關(guān)于三菱電機(jī)

三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2022年《財(cái)富》世界500強(qiáng)排名中，位列351名。截止2022年3月31日的財(cái)年，集團(tuán)營(yíng)收44768億日元(約合美元332億)。作為一家技術(shù)主導(dǎo)型企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)專利技術(shù)，并憑借強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場(chǎng)，三菱電機(jī)從事開發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體已有60余年。其半導(dǎo)體產(chǎn)品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動(dòng)汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無(wú)線通訊等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。