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增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。

產(chǎn)品型號：

FF17MR12W1M1H_B11

17mΩ 1200V

FF17MR12W1M1H_B70

17mΩ 1200V 低熱阻

FF17MR12W1M1HP_B11

17mΩ 1200V TIM版本

FF33MR12W1M1H_B11

33mΩ 1200V

FF33MR12W1M1HP_B11

33mΩ 1200V TIM版本

產(chǎn)品特點(diǎn)

1200V CoolSiC™ MOSFET

Easy1B封裝

Best-in-class 12毫米高度模塊封裝

非常低的模塊寄生電感

RBSOA反向工作安全區(qū)寬

柵極驅(qū)動電壓窗口大

PressFIT引腳

兩個阻值型號都有帶有熱界面材料版本

應(yīng)用價值

擴(kuò)展了柵源電壓最大值：+23V和-10V

在過載條件下，Tvjop最高可達(dá)175°C

最佳的性價比，可降低系統(tǒng)成本

可工作在高開關(guān)頻率，并改善對冷卻要求

競爭優(yōu)勢

引入新的M1H增強(qiáng)型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊

采用英飛凌WBG材料，達(dá)到功率和效率的新水平

緊跟市場的新趨勢，支持多種目標(biāo)應(yīng)用

應(yīng)用領(lǐng)域

電機(jī)控制和驅(qū)動

不間斷電源(UPS)

電動汽車充電

光伏系統(tǒng)的解決方案

儲能系統(tǒng)

移動互聯(lián)

2010年，中國移動互聯(lián)網(wǎng)用戶規(guī)模達(dá)到3.03億人2011年，中國移動互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)進(jìn)入了更加快速發(fā)展的一年，無論是用戶規(guī)模還是手機(jī)應(yīng)用下載次數(shù)都有了快速的增長。在移動互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的大的趨勢下，中自傳媒已經(jīng)開始進(jìn)行區(qū)別于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)的運(yùn)營模式探索，伴隨著產(chǎn)業(yè)鏈和產(chǎn)業(yè)格局的變化提供創(chuàng)新的服務(wù)