增強型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術和溫度檢測NTC，并有使用預涂的熱界面材料（TIM）版本。
產品型號：
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低熱阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
產品特點
1200V CoolSiC™ MOSFET
Easy1B封裝
Best-in-class 12毫米高度模塊封裝
非常低的模塊寄生電感
RBSOA反向工作安全區寬
柵極驅動電壓窗口大
PressFIT引腳
兩個阻值型號都有帶有熱界面材料版本
應用價值
擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
最佳的性價比，可降低系統成本
可工作在高開關頻率，并改善對冷卻要求
競爭優勢
引入新的M1H增強型1代芯片系列模塊，Best-in-class 1200V Easy1B模塊
采用英飛凌WBG材料，達到功率和效率的新水平
緊跟市場的新趨勢，支持多種目標應用
應用領域
電機控制和驅動
不間斷電源(UPS)
電動汽車充電
光伏系統的解決方案
儲能系統
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