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        儲能系統關鍵零部件——IGBT

        已有8817次閱讀2023-06-09標簽:


        儲能系統成本主要由電池和儲能逆變器構成,兩者合計構成電化學儲能系統成本的80%,其中儲能逆變器占到20%。IGBT絕緣柵雙極型晶體管為儲能逆變器的上游原材料,
        IGBT的性能決定了儲能逆變器的性能,占逆變器價值量的20%-30%。

        IGBT在儲能領域的主要作用就是變壓、變頻、交變轉換等,是儲能應用中不可缺少的器件。

        圖:IGBT模塊

          

        儲能變流器的上游原材料包括IGBT、電容、電阻、電抗器、PCB等。其中,IGBT仍舊主要依賴進口,國產IGBT在工藝層面與世界領先水平仍有差距,但隨著中國儲能行業的快速發展,IGBT國產化進程也有望加速。

        IGBT儲能應用價值

         

        與光伏相比,儲能 IGBT 價值量相對更高。儲能用更多的 IGBT 和 SiC,涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個環節,其中含兩種方案,即光儲一體與單獨儲能系統。獨立的儲能系統,功率半導體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲一體可能占比超過 60-70%,單獨儲能系統占比 30%。


        圖:比亞迪IGBT模塊



        IGBT具有廣泛的應用層,在儲能逆變器中較MOSFET更具優勢。在實際項目中IGBT已逐漸取代MOSFET作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件,新能源發電行業的迅速發展將成為IGBT行業持續增長的全新動力。

        IGBT是能源變換與傳輸的核心器件

        IGBT可以通俗的理解為是帶閥門控制的能控制電子雙向(多向)流動的晶體管。IGBT是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型場效應管MOS組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有 MOSFET金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管GTR的低導通壓降兩方面的優點。

        圖:IGBT模塊結構示意圖

         

        IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP 晶體管提供基極電流,使IGBT 導通。反之,加反向門極電壓消除溝道,流過反向基極電流,使IGBT 關斷。IGBT 的驅動方法和 MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N 一溝道MOSFET,所以具有高輸入阻抗特性。IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興產業,在新能源裝備等領域應用極廣。

        IGBT具備包括輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快、通態電流大、導通壓降低、損耗小等諸多優點,因此在當前市場環境中具有絕對優勢。因此,IGBT成為當前功率半導體市場最主流的器件,在新能源發電、電動汽車及充電樁、電氣化船舶、直流輸電、
        儲能、工業電控和節能等眾多領域均有廣泛應用。

        圖:英飛凌IGBT模塊

         

        IGBT分類

        根據產品結構形式不同,IGBT 有單管、IGBT 模塊和智能功率模塊 IPM 三種類型。
        IGBT 單管主要應用于小功率家用電器、分布式光伏逆變器及小功率變頻器等領域;IGBT 模塊主要應用于大功率工業變頻器、電焊機、新能源汽車(電機控制器、車載空調、充電樁)等領域(當前市場上銷售的多為此類模塊化產品)。智能功率模塊 IPM 主要在變頻空調、變頻洗衣機等白色家電領域有廣泛應用。

         

        根據應用場景的電壓不同,IGBT 有超低壓、低壓、中壓和高壓等類型。其中新能源汽車、工業控制、家用電器等使用的 IGBT 以中壓為主,而軌道交通、新能源發電和智能電網等對電壓要求較高,主要使用高壓IGBT。




        IGBT 多以模塊形式出現,IHS 數據顯示模塊和單管的比例為 3:1。模塊是由 IGBT 芯片 與 FWD(續流二極管芯片)通過定制化的電路橋接,并通過塑料框架、襯底及基板等封裝而成的模塊化半導體產品。


        市場現狀:

        中國企業正快速成長,目前較依賴進口

        2022年,我國IGBT行業產量達到0.41億只,需求量約為1.56億只,自給率26.3%。目前,國內IGBT市場主要由英飛凌、三菱電機、富士電機等海外廠商占據,其中占比最高的是英飛凌,為15.9%。IGBT模組市場CR3達56.91%,國產廠商斯達半導和中車時代的市占率合計占比為5.01%。全球IGBT分立器件市占率前三的廠家市場份額合計達到了53.24%,國產廠商僅士蘭微一家以3.5%的市場份額進入全球IGBT分立器件市占率前十廠商。


         

        隨著光伏和儲能需求逐漸旺盛,海外芯片供應緊張,助推國產替代。IGBT 器件的性能直接影響新能源發電的效率,因此客戶對功率半導體的價格敏感度較低,而對其性能和可靠性要求較高。過去我國逆變器企業在器件選用過程中往往偏好性能更為卓越、穩定性更好的海外 IGBT 產品。

        2021年以來,受各種因素影響,海外光伏芯片大廠交期延長,逆變器 IGBT 芯片供需矛盾凸顯,因此我國光伏逆變器企業加快了對國產 IGBT 器件的驗證和導入工作。部分逆變器企業建立國產供應鏈體系的迫切性日益凸顯,正加速引入國產核心器件供應商。

        我國企業在逆變器環節實力雄厚,全球市場占有率領先,為國產IGBT等器件的導入提供了深厚的土壤。國產 IGBT 企業相較海外企業,更有希望憑借本土供應優勢,實現與逆變器客戶的密切對接和持續服務,逐步提升滲透率,有望提升 IGBT 市場份額。

         

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